[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及使用該半導(dǎo)體器件的顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010524862.6
• 申請(qǐng)日: 2010-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102097589A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野元章裕;小野秀樹(shù)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/05
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/05;H01L51/10;H01L27/28;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考

本申請(qǐng)包含與2009年11月5日向日本專(zhuān)利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP?2009-254088的公開(kāi)內(nèi)容相關(guān)的主題，在此將該日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及使用該半導(dǎo)體器件的顯示裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，所謂的有機(jī)薄膜晶體管(thin-film?transistor，TFT)受到了廣泛關(guān)注。有機(jī)TFT是利用有機(jī)半導(dǎo)體作為通道層的TFT。

在有機(jī)TFT的情況下，可通過(guò)執(zhí)行涂敷工藝在低溫下形成由有機(jī)半導(dǎo)體制成的通道層。因此，有機(jī)TFT有利于降低成本，并且除此之外還可以在不具有耐熱性的柔性基板上制造出有機(jī)TFT。不具有耐熱性的柔性基板的典型示例是塑料材料。

通過(guò)將這種有機(jī)TFT設(shè)計(jì)成公知的頂部接觸式底柵結(jié)構(gòu)(top-contact/bottom-gate?structure)，與具有底部接觸式結(jié)構(gòu)的TFT相比，能夠避免由于諸如熱應(yīng)力等應(yīng)力而引起的特性劣化。

對(duì)于具有頂部接觸式底柵結(jié)構(gòu)的有機(jī)TFT，已經(jīng)研究了用于在有機(jī)半導(dǎo)體圖形上高精度地形成源極電極和漏極電極的圖形形成方法。

例如，已經(jīng)公開(kāi)了這樣一種方法：該方法中，在有機(jī)半導(dǎo)體層上形成犧牲層和抗蝕劑層以作為電極以外的圖形之后，全面地堆積電極材料然后溶解犧牲層以剝離抗蝕劑層上的電極材料。關(guān)于該公開(kāi)方法的更多信息，建議讀者參照日本專(zhuān)利特許公報(bào)第2008-85200號(hào)。

根據(jù)上述的公開(kāi)方法，通過(guò)對(duì)抗蝕劑進(jìn)行圖形化處理能夠高效地形成電極。

然而，根據(jù)日本專(zhuān)利特許公報(bào)第2008-85200號(hào)所披露的方法，在剝離時(shí)所剝落的膜會(huì)再次附著，于是就降低了產(chǎn)率。

另外，通常在由非晶硅材料制成的TFT中所使用的蝕刻停止結(jié)構(gòu)中，需要調(diào)節(jié)源極電極和漏極電極在蝕刻停止層上的位置。因此，需要很大的設(shè)計(jì)余量。

在這種蝕刻停止結(jié)構(gòu)中，蝕刻停止層的寬度等于通道長(zhǎng)度Lch。因此，如果設(shè)定很大的設(shè)計(jì)余量，則通道長(zhǎng)度Lch增大。特別地，如果使用了大型基板或者伸縮比很大的塑料基板，則難以調(diào)節(jié)源極電極和漏極電極在蝕刻停止層上的位置。于是，便需要甚至更大的設(shè)計(jì)余量。

另外，例如，在將有機(jī)TFT用到顯示部的底板上的典型應(yīng)用中，如果要考慮位置對(duì)準(zhǔn)余量則必須增大設(shè)計(jì)余量，這就要求更大的像素尺寸。如果像素尺寸很大，則想要增加像素?cái)?shù)量是十分困難的。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人提供了半導(dǎo)體器件及使用該半導(dǎo)體器件的顯示裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件使得能夠以高精度和較小的設(shè)計(jì)余量形成電極。

本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是使用了薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件。此外，所述半導(dǎo)體器件還具有：所述薄膜晶體管的柵極電極；柵極絕緣膜，它形成得覆蓋著所述柵極電極；以及有機(jī)半導(dǎo)體層，它形成在所述柵極絕緣膜上，作為含有所述薄膜晶體管的源極區(qū)域、通道區(qū)域和漏極區(qū)域的層。除此之外，所述半導(dǎo)體器件還包括：形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上的結(jié)構(gòu)體；所述薄膜晶體管的源極電極；所述薄膜晶體管的漏極電極；以及形成在所述結(jié)構(gòu)體上并由與所述源極電極及所述漏極電極相同的材料制成的電極材料層。所述源極電極是這樣的電極：它形成得起始于所述柵極絕緣膜的某一端上表面并終止于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的某一端上表面。同理，所述漏極電極是這樣的電極：它形成得起始于所述柵極絕緣膜的另一端上表面并終止于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的另一端上表面。所述有機(jī)半導(dǎo)體層的所述某一端上表面和所述另一端上表面中的每一者都是在所述結(jié)構(gòu)體外側(cè)的表面。

本發(fā)明的顯示裝置使用了半導(dǎo)體器件、含有所述半導(dǎo)體器件的底板和用于顯示圖像的顯示面板。所述底板中所含有的所述半導(dǎo)體器件具有與上述的本發(fā)明半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)上述的本發(fā)明半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件使用了：形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上的所述結(jié)構(gòu)體；作為所述薄膜晶體管的源極電極而形成的所述源極電極，它起始于所述柵極絕緣膜的某一端上表面，并終止于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的某一端上表面(其是所述有機(jī)半導(dǎo)體層的在所述結(jié)構(gòu)體外側(cè)的上表面)；作為所述薄膜晶體管的漏極電極而形成的所述漏極電極，它形成得起始于所述柵極絕緣膜的另一端上表面并終止于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的另一端上表面(其是所述有機(jī)半導(dǎo)體層的在所述結(jié)構(gòu)體外側(cè)的上表面)；以及電極材料層，它形成在所述結(jié)構(gòu)體上，并由與所述源極電極及所述漏極電極相同的材料制成。