[發明專利]半導體器件及使用該半導體器件的顯示裝置

無效

• 申請號: 201010524862.6
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102097589A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 野元章裕;小野秀樹
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L27/28;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種半導體器件，其含有薄膜晶體管，所述半導體器件包括：

所述薄膜晶體管的柵極電極；

柵極絕緣膜，它形成得覆蓋著所述柵極電極；

有機半導體層，它形成在所述柵極絕緣膜上，作為含有所述薄膜晶體管的源極區域、通道區域和漏極區域的層；

結構體，它形成在所述有機半導體層上；

源極電極，它起始于所述柵極絕緣膜的某一端上表面，并終止于在所述結構體外側的位置處的作為所述有機半導體層的某一端上表面的上表面；

漏極電極，它起始于所述柵極絕緣膜的另一端上表面，并終止于在所述結構體外側的位置處的作為所述有機半導體層的另一端上表面的上表面；以及

電極材料層，它形成在所述結構體上，并由與所述源極電極及所述漏極電極相同的材料制成。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述結構體具有倒懸形狀，所述倒懸形狀具有在所述有機半導體層側的表面和在所述電極材料層側的表面；并且

在所述有機半導體層側的所述表面的面積小于在所述電極材料層側的所述表面的面積。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述結構體具有倒錐形式的倒懸形狀，所述倒錐形式具有傾斜的側壁面。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其中，

所述結構體具有被形成為堆疊結構的倒懸形狀，所述堆疊結構具有包括下層和上層的多個層；并且

所述下層的側壁所處的側邊位置比所述上層的側壁所處的側邊位置更靠內。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，用于形成所述結構體的所述堆疊結構的所述多個層中的每一層都由絕緣材料制成。

6.如權利要求4所述的半導體器件，其中，在用于形成所述結構體的所述堆疊結構的所述多個層中，所述下層由金屬或半導體制成，而所述上層由絕緣層制成。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中，在所述有機半導體層與所述結構體的所述下層之間形成有絕緣膜。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其中，所述源極電極和所述漏極電極延伸至所述絕緣膜的端部上表面。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述有機半導體層整個地被所述結構體、所述源極電極和所述漏極電極覆蓋著。

10.一種顯示裝置，其包括：含有薄膜晶體管的半導體器件、含有所述半導體器件的底板、以及用于顯示圖像的顯示面板，

其中，所述半導體器件具體使用了如下構成部分：

所述薄膜晶體管的柵極電極；

柵極絕緣膜，它形成得覆蓋著所述柵極電極；

有機半導體層，它形成在所述柵極絕緣膜上，作為含有所述薄膜晶體管的源極區域、通道區域和漏極區域的層；

結構體，它形成在所述有機半導體層上；

源極電極，它起始于所述柵極絕緣膜的某一端上表面，并終止于在所述結構體外側的位置處的作為所述有機半導體層的某一端上表面的上表面；

漏極電極，它起始于所述柵極絕緣膜的另一端上表面，并終止于在所述結構體外側的位置處的作為所述有機半導體層的另一端上表面的上表面；以及

電極材料層，它形成在所述結構體上，并由與所述源極電極及所述漏極電極相同的材料制成。