[發明專利]氣相反應裝置有效
| 申請號: | 201010524346.3 | 申請日: | 2010-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102061457A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 汪宇澄 | 申請(專利權)人: | 理想能源設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相反 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池制造設備領域,特別涉及一種氣相反應裝置。
背景技術
在半導體和太陽能電池的生產過程中,如化學氣相沉積(CVD)設備、低壓化學氣相沉積(LPCVD)設備等氣相反應裝置受到廣泛使用。氣相反應裝置的主要原理是將反應氣體通入反應室中,并控制反應室的壓強、溫度等反應條件,使得反應氣體發生反應,完成沉積等工藝步驟。
圖1示出了現有技術的一種氣相反應裝置的結構示意圖,包括:反應室10;真空泵12,所述真空泵12通過排氣真空管11與所述反應室10的排氣口相連;開關閥14和流量控制器(MFC,Mass?Flow?Controller)15,依次串接在反沖真空管13上,并通過所述反沖真空管13與所述排氣真空管上的反沖氣體進氣口相連;壓力開關(PS,Pressure?Switch)16,連接在所述排氣真空管11上。
所述排氣真空管11和真空泵12組成了排氣通路,主要用于排放反應室10中的氣體;所述開關閥14、流量控制器15和反沖真空管13組成了反沖氣體通路,反沖氣體通過反沖氣體通路進入排氣通路,對排氣通路和反應室10中的壓強進行調節和補償,以滿足反應條件。
在使用和工作過程中,反應氣體通過反應室10上的進氣口(圖中未示出,位于所述反應室10上與排氣口相對的另一側)進入反應室10中,所述真空泵12通過所述排氣真空管11從排氣口中將反應后的氣體抽出,同時為了保證反應室10內的壓強在反應需要的范圍內,需要使用反沖氣體對反應室10內的壓強進行補償和平衡,所述反應氣體通過所述反沖真空管13并流經所述流量控制器15和開關閥14進入排氣真空管11以及反應室10中。其中,開關閥14用于控制反沖真空管13的導通和關斷,流量控制器15用于控制流入反沖真空管13的反沖氣體的流量。
所述壓力開關16用于監測排氣真空管11以及反應室10中的壓強,在壓強超出預設的閾值范圍后產生警報信號或控制信號,防止設備壓力異常導致的危險。但是,氣相反應裝置在使用過程中會產生較多的副產品,所述副產品會通過排氣真空管11附著或沉積在壓力開關16上。隨著附著或沉積在壓力開關16上的副產品的增多,會逐漸導致壓力開關16失效。失效的壓力開關16喪失了壓強監控的功能,導致無法及時發現異常情況,容易造成安全隱患。因此,在實際生產應用中,為了降低安全風險,用戶不得不頻繁地更換壓力開關。而且副產品在壓力開關內的沉積或附著具有一定的隨機性,即使定期更換壓力開關也并不能完全解決壓力開關的失效問題。
關于氣相沉積設備的更多詳細內容,請參考2009年7月1日公開的公開號為CN101469411A的中國專利申請文件。
發明內容
本發明的目的是提供一種氣相反應裝置,以解決現有技術中存在的由于壓力開關失效而造成的潛在安全隱患以及影響壓力開關的使用壽命的問題。
為解決上述問題,本發明提供了一種氣相反應裝置,包括:
反應室;
排氣通路,與所述反應室相連,對所述反應室進行排氣;
反沖氣體通路,與所述排氣通路相連,反沖氣體通過所述反沖氣體通路流入所述排氣通路;
壓力開關,所述壓力開關連接在所述反沖氣體通路上。
可選的,所述反沖氣體通路包括反沖真空管以及串接在所述反沖真空管上的喉管,所述喉管的內徑小于所述反沖真空管的內徑,所述壓力開關連接在所述喉管靠近所述反沖氣體的氣體源一側的反沖氣體通路上。
可選的,所述反沖氣體通路還包括儲氣罐,所述儲氣罐串接在所述喉管靠近所述反沖氣體的氣體源一側的反沖真空管上,所述壓力開關連接在所述儲氣罐上。
可選的,所述反沖氣體通路還包括串接在所述反沖真空管上的開關閥和流量控制器,所述反沖氣體依次經由所述流量控制器、開關閥、儲氣罐和喉管進入所述排氣通路。
可選的,所述反沖氣體通路具體進氣端,所述進氣端的反沖氣體的流量為2至4slm,所述反沖真空管的內徑為30mm至200mm,所述排氣真空管的內徑為100mm至200mm,所述喉管的內徑為15至17mm,長度為70至90mm。
可選的,所述進氣端的反沖氣體的流量為3slm,所述反沖真空管的內徑為100mm,所述排氣真空管的內徑200mm,所述喉管的內徑為16mm,長度為80mm。
可選的,所述反沖氣體通路還包括轉接管,所述轉接管的內徑大于所述喉管的內徑,所述喉管或反沖真空管通過所述轉接管與所述排氣通路相連。
可選的,所述排氣通路包括真空泵和排氣真空管,所述真空泵通過所述排氣真空管與所述反應室相連。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于理想能源設備(上海)有限公司,未經理想能源設備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010524346.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種前端維護的顯示屏
- 下一篇:一種電子耳標及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





