[發明專利]氣相反應裝置有效
| 申請號: | 201010524346.3 | 申請日: | 2010-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102061457A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 汪宇澄 | 申請(專利權)人: | 理想能源設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相反 裝置 | ||
1.一種氣相反應裝置,包括:
反應室;
排氣通路,與所述反應室相連,對所述反應室進行排氣;
反沖氣體通路,與所述排氣通路相連,反沖氣體通過所述反沖氣體通路流入所述排氣通路,對所述反應室的壓強進行調節;
壓力開關,
其特征在于,所述壓力開關連接在所述反沖氣體通路上。
2.根據權利要求1所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反沖氣體通路包括反沖真空管以及串接在所述反沖真空管上的喉管,所述喉管的內徑小于所述反沖真空管的內徑,所述壓力開關連接在所述喉管靠近所述反沖氣體的氣體源一側的反沖氣體通路上。
3.根據權利要求2所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反沖氣體通路還包括儲氣罐,所述儲氣罐串接在所述喉管靠近所述反沖氣體的氣體源一側的反沖真空管上,所述壓力開關連接在所述儲氣罐上。
4.根據權利要求3所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反沖氣體通路還包括串接在所述反沖真空管上的開關閥和流量控制器,所述反沖氣體依次經由所述流量控制器、開關閥、儲氣罐和喉管進入所述排氣通路。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反沖氣體通路具有進氣端,所述進氣端的反沖氣體的流量為2至4slm,所述反沖真空管的內徑30mm至200mm,所述排氣真空管的內徑為100mm至200mm,所述喉管的內徑為15至17mm,長度為70至90mm。
6.根據權利要求5所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述進氣端的反沖氣體的流量為3slm,所述反沖真空管的內徑為100mm,所述排氣真空管的內徑為200mm,所述喉管的內徑為16mm,長度為80mm。
7.根據權利要求2至4中任一項所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反沖氣體通路還包括轉接管,所述轉接管的內徑大于所述喉管的內徑,所述喉管或反沖真空管通過所述轉接管與所述排氣通路相連。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述排氣通路包括真空泵和排氣真空管,所述真空泵通過所述排氣真空管與所述反應室相連。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述氣相反應裝置為化學氣相沉積設備、低壓化學氣相沉積設備、等離子體增強化學氣相沉積設備或高密度等離子體化學氣相沉積設備。
10.根據權利要求9所述的氣相反應裝置,其特征在于,所述反應室內通有反應氣體,所述反應氣體包括含氧氣體和含鋅氣體,所述反沖氣體為氮氣、惰性氣體或其他非活潑的氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





