[發明專利]一種高壓LDMOS器件

無效

• 申請號: 201010523281.0
• 申請日: 2010-10-28
• 公開（公告）號: CN101969074A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 方健;陳呂赟;李文昌;管超;吳瓊樂;柏文斌;王澤華
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 周永宏

1.一種高壓LDMOS器件，包括襯底、位于襯底之上的外延層，位于外延層之上的漂移區，位于LDMOS器件兩端的漏區和源區，其特征在于，在襯底和外延層的交界面上緊貼漂移區的下表面具有交替排列的至少一對n型半導體區和p型半導體區，所述n型半導體區和p型半導體區緊貼排列相互形成橫向的PN結，同時p型半導體區與漂移區形成縱向的PN結。

2.根據權利要求1所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，在漂移區對應于漏區的部分向下擴展邁過襯底和外延層的交界面。

3.根據權利要求1或2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，在n型半導體區和p型半導體區與漂移區的交界面上添加埋層，所述埋層的摻雜特性與漂移區相反。

4.根據權利要求1或2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，在漂移區的上表面添加頂埋層，所述頂埋層的摻雜特性與漂移區相反。