[發明專利]殼體及其制造方法無效
| 申請號: | 201010520297.6 | 申請日: | 2010-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102453853A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;陳曉強 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 殼體 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種殼體及其制造方法。
背景技術
真空鍍膜技術(PVD)是一種非常環保的成膜技術。以真空鍍膜的方式所形成的膜層具有高硬度、高耐磨性、良好的化學穩定性、與基體結合牢固以及亮麗的金屬外觀等優點,因此真空鍍膜在鋁、鋁合金、鎂、鎂合金及不銹鋼等金屬基材表面裝飾性處理領域的應用越來越廣。
然而,由于鋁或鋁合金的標準電極電位很低,且PVD裝飾性涂層本身不可避免的會存在微小的孔隙,如針孔、裂紋,并且在鋁及鋁合金基體會發生微電池腐蝕作用,形成很大的膜-基電位差,加快了微電池的腐蝕速率,因此,直接于鋁或鋁合金基體表面鍍覆諸如TiN層、TiN層、CrN層等具有色彩的PVD裝飾性涂層,不能有效防止所述鋁或鋁合金基體發生電化學腐蝕,同時該PVD裝飾性涂層本身也會發生異色、脫落等現象。
發明內容
鑒于此,提供一種具有良好的耐腐蝕性及裝飾性外觀的殼體。
另外,還提供一種上述殼體的制造方法。
一種殼體,包括鋁或鋁合金基體,一形成于鋁或鋁合金基體表面的防腐蝕層,及一形成于防腐蝕層表面的色彩層,所述防腐蝕層為Al層。
一種殼體的制造方法,包括以下步驟:
提供鋁或鋁合金基體;
于該鋁或鋁合金基體上磁控濺射形成防腐蝕層,該防腐蝕層位Al層;
于該防腐蝕層上磁控濺射形成色彩層。
所述殼體的制造方法,通過磁控濺射法依次于鋁或鋁合金基體上形成鋁的防腐蝕層及具有裝飾性的色彩層。當殼體處于腐蝕性介質中時,由于所述防腐蝕層與鋁或鋁合金基體有效降低了膜-基電位差,使殼體無法形成發生電化學腐蝕所需要的陰極與陽極,從而提高了殼體的耐腐蝕性。所述殼體耐腐蝕性提高的同時,還可避免所述色彩層發生異色、脫落等失效現象,從而使該殼體經長時間使用后仍具有較好的裝飾性外觀。
附圖說明
圖1為本發明較佳實施例的殼體的剖視圖。
主要元件符號說明
殼體????????????????????10
鋁或鋁合金基體??????????11
防腐蝕層????????????????13
色彩層??????????????????15
具體實施方式
請參閱圖1,本發明一較佳實施例的殼體10包括鋁或鋁合金基體11、依次形成于該鋁或鋁合金基體11上的防腐蝕層13及色彩層15。該殼體10可以為3C電子產品的殼體,也可為工業、建筑用件及汽車等交通工具的零部件等。
所述防腐蝕層13為Al層,其厚度為1.0~3.0μm。
所述色彩層15為Ti-N層,其厚度為1.0~3.0μm。
可以理解,所述色彩層15還可以為Cr-N或其他具有裝飾性的色彩層。
所述防腐蝕層13及色彩層15均通過磁控濺射法沉積形成。
本發明一較佳實施例的制造所述殼體10的方法主要包括如下步驟:
提供鋁或鋁合金基體11,并對鋁或鋁合金基體11依次進行研磨及電解拋光。電解拋光后,再依次用去離子水和無水乙醇對該鋁或鋁合金基體11表面進行擦拭。再將擦拭后的鋁或鋁合金基體11放入盛裝有丙酮溶液的超聲波清洗器中進行震動清洗,以除去鋁或鋁合金基體11表面的雜質和油污等。清洗完畢后吹干備用。
對經上述處理后的鋁或鋁合金基體11的表面進行氬氣等離子清洗,進一步去除鋁或鋁合金基體11表面的油污,以改善鋁或鋁合金基體11表面與后續涂層的結合力。該等離子清洗的具體操作及工藝參數可為:將鋁或鋁合金基體11放入一磁控濺射鍍膜機(圖未示)的鍍膜室內,對該鍍膜室進行抽真空處理至真空度為1.0×10-3pa,以250~500sccm(標準狀態毫升/分鐘)的流量向鍍膜室中通入純度為99.999%的氬氣,于鋁或鋁合金基體11上施加-300~-800V的偏壓,對鋁或鋁合金基體11表面進行等離子清洗,清洗時間為3~10min。
在對鋁或鋁合金基體11進行等離子清洗后,于該鋁或鋁合金基體11上形成防腐蝕層13。所述防腐蝕層13為鋁層。形成該防腐蝕層13的具體操作及工藝參數如下:以氬氣為工作氣體,調節氬氣流量為100~300sccm,設置占空比為30%~80%,于鋁或鋁合金基體11上施加-50~-200V的偏壓,并加熱鍍膜室至100~150℃(即濺射溫度為100~150℃);選擇Al為靶材,設置其功率為8~13kw,沉積防腐蝕層13。沉積該防腐蝕層13的時間為10~30min。
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