[發明專利]一種基于阻塞控制的單穩態電路無效
| 申請號: | 201010514560.0 | 申請日: | 2010-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN101977039A | 公開(公告)日: | 2011-02-16 |
| 發明(設計)人: | 王東輝;閆浩;侯朝煥 | 申請(專利權)人: | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號: | H03K3/033 | 分類號: | H03K3/033 |
| 代理公司: | 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318 | 代理人: | 楊小蓉;高宇 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 阻塞 控制 穩態 電路 | ||
技術領域
本發明涉及單穩態電路,特別涉及一種基于阻塞控制的單穩態電路。
背景技術
單穩態電路只有一個穩定狀態。在外界觸發脈沖的作用下,電路從穩態翻轉到暫態,在暫態維持一段時間之后,又返回穩態,并在輸出端產生一個矩形脈沖。
由于單穩態電路的暫態時間是電路內部參數確定的,因此單穩態觸發器被廣泛用于脈沖整形、延時以及定時等。單穩態觸發器的暫穩態通常是靠RC電路的充、放電過程來維持的,RC電路可接成兩種形式:微分和積分電路形式。
傳統的單穩態電路主要有積分型和微分型兩種結構。積分型單穩態觸發器電路原理圖,如圖1所示,傳統積分型單穩態電路在Vi從低電平變到高電平時,經過反相器G1后,V01輸出由高電平變到低電平,輸出電壓V0由高變低,此時電容C通過R開始放電,VA降低,當VA低于G2的閾值電壓后V0從低變到高,恢復到穩態。而此過程中的低電平脈沖寬度是由電路中RC常數決定的。通過調整RC常數可以得到不同脈沖寬度的信號。微分型單穩態觸發器電路原理圖,如圖2所示,微分型的電路工作原理同積分型的類似,只不過在控制穩態時間的機制上不同。一般來說單穩態電路中暫態時間都與電路中RC參數大小決定。
但是,不論積分型還是微分型的單穩態電路結構,如果要產生一個較長的暫態時間,電路中RC的值則也會變大。如果要將該單穩態電路集成與芯片內部的話,由于電阻電容的影響,將會占用很多芯片的面積,非常不利于集成設計。尤其是微分型單穩態電路,其中使用了較多的電阻電容器件。另外,一旦應用要求確定,RC參數的大小同時也確定,不可更改,重復利用率差。最后,即使RC值較小,能夠集成到整個系統用于產生特點的脈沖波形,而該電路的瞬態時間也將由于RC在不同工藝下的劇烈變化,產生50%左右的誤差,這對于需要精確控制時間的應用環境極為不利。
發明內容
本發明的目的在于,解決現有單穩態電路的缺點,設計一種便于系統集成,而且能夠精確產生和易于控制暫態時間的單穩態電路。
為實現上述發明目的,本發明提出一種基于阻塞控制的單穩態電路,其特征在于,該單穩態電路包括:第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、傳輸門T1、傳輸門T2、電容N1、反相器I1、反相器I2和反相器I3;
所述第一PMOS晶體管P1的源極連接電源電壓,其漏極與所述第二PMOS晶體管P2的源極相連,其柵極受控于輸入電壓;
所述第二PMOS晶體管P2的柵極受控于所述反相器I2輸出端的信號,其漏極與所述傳輸門T1輸出端、所述反相器I1的輸入端及所述電容N1的一端相連;
所述電容N1的另一端接地;
所述反相器I1的輸出端與所述傳輸門T2的輸入端相連;所述傳輸門T2的輸出端與所述反相器I2的輸入端相連;所述反相器I2的輸出端與所述反相器I3的輸入端相連;
所述反相器I3的輸出端是所述單穩態電路的輸出端VOUT,并且該輸出端被反饋連接至所述傳輸門T1的輸入端;
所述傳輸門T1和傳輸門T2分別受控于傳輸門控制端的輸入信號,使得在同一時間只有一個傳輸門導通以實現阻塞控制。
所述電容N1是MOS電容,所述MOS電容的柵極與所述傳輸門T1的輸出端、所述反相器I1的輸入端及所述第二PMOS晶體管P2的漏極相連,所述MOS電容的源極和漏極相連并接地。
所述基于阻塞控制的單穩態電路中還包括一個反相器I4,所述反相器I4的輸出端與所述反相器I2的輸入端相連,所述反相器I4的輸入端與所述反相器I2的輸出端相連。
作為本發明的一種選擇,所述傳輸門T2采用NMOS結構,所述基于阻塞控制的單穩態電路中還包括一個或非門和反相器I5,所述或非門的一個輸入端與所述反相器I2的輸入端連接,所述或非門的另一個輸入端連接時鐘信號CLK,所述或非門的輸出為信號NCLK1,該信號與反相器I5輸入端連接,所述反相器I5的輸出信號為CLK1,所述信號CLK1作為所述傳輸門T2控制端的輸入信號控制所述傳輸門T2。
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