[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010513621.1
• 申請(qǐng)日: 2010-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102456803A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹勛偉;柯志勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光二極管晶粒及封裝體，基板具有第一焊墊及第二焊墊，發(fā)光二極管晶粒具有p型電極及n型電極，發(fā)光二極管晶粒固定于基板上，封裝體罩設(shè)于發(fā)光二極管晶粒上，其特征在于：封裝體上形成第一電極及第二電極，封裝體的第一電極正對(duì)并連接發(fā)光二極管晶粒的p型電極，封裝體的第二電極正對(duì)并連接發(fā)光二極管晶粒的n型電極，封裝體的第一電極與基板的第一焊墊電連接，封裝體的第二電極與基板的第二焊墊電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：封裝體包括安裝面及出光面，封裝體的安裝面開(kāi)設(shè)收容槽，封裝體于收容槽內(nèi)形成入光面，發(fā)光二極管晶粒收容于封裝體的收容槽中，該第一電極及該第二電極形成于封裝體的入光面上。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：封裝體的安裝面上形成第一導(dǎo)電凸塊與第二導(dǎo)電凸塊，基板開(kāi)設(shè)第一定位孔及第二定位孔，第一導(dǎo)電凸塊收容于第一定位孔內(nèi)，第二導(dǎo)電凸塊收容于第二定位孔內(nèi)，第一導(dǎo)電凸塊分別與封裝體的第一電極及基板的第一焊墊電連接，第二導(dǎo)電凸塊分別與封裝體的第二電極及基板的第二焊墊電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：封裝體的第一導(dǎo)電凸塊與封裝體的第一電極之間通過(guò)第一透明導(dǎo)電層電連接，封裝體的第二導(dǎo)電凸塊與封裝體的第二電極之間通過(guò)第二透明導(dǎo)電層電連接。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層采用透明金屬、銦錫金屬氧化物或者碳納米管薄膜其中一種。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一透明導(dǎo)電層與發(fā)光二極管晶粒之間設(shè)置第一絕緣層，第二透明導(dǎo)電層與發(fā)光二極管晶粒之間設(shè)置第二絕緣層。

7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：基板的第一定位孔及第二定位孔內(nèi)分別填充導(dǎo)電材料以分別形成第一導(dǎo)電柱及第二導(dǎo)電柱，封裝體的第一導(dǎo)電凸塊通過(guò)第一導(dǎo)電柱與基板的第一焊墊電連接，封裝體的第二導(dǎo)電凸塊通過(guò)第二導(dǎo)電柱與基板的第二焊墊電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括熒光材料，熒光材料混合于封裝體內(nèi)或者涂覆于封裝體的出光面上。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：發(fā)光二極管晶粒的p型電極與n型電極位于發(fā)光二極管晶粒的頂端且朝向封裝體。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：封裝體的第一電極與發(fā)光二極管晶粒的p型電極采用共晶結(jié)合連接，封裝體的第二電極與發(fā)光二極管晶粒的n型電極采用共晶結(jié)合連接。