[發明專利]PVD假片的回收方法

有效

• 申請號: 201010509219.6
• 申請日: 2010-10-11
• 公開（公告）號: CN102443769A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 梁欣;李冠欣;陳志新;崔曉娟
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/16;C23F1/20;C23F1/12;C23C16/40
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及PVD假片的回收方法。

背景技術

PVD(physical?vapor?deposition)，即物理氣相沉積，用于表面薄膜材料的制備，廣泛用于機械和表面材料制備領域。對于PVD設備而言，每次開腔維護保養后，都需要跑一定數量的PVD假片使得它達到工藝的最佳狀態；機臺閑置一定時間后，工藝產品片之前也需要跑PVD假片防止第一片效應，所以PVD假片的使用次數是很高的。而鋁合金濺射工藝由于對雜氣特別敏感，跑PVD假片需要更長的時間，更大的功率，以保證完全除掉腔體的雜氣，這樣一來就導致PVD假片上淀積較多的鋁合金。又由于鋁合金膜都是張應力的，而且會隨著厚度的增加而增大，使得圓片翹曲而無法再利用。一般來說，鋁合金膜厚度達到約40000埃(大概使用5次)就不能再用了。這些片子如果白白浪費掉，對晶圓代工生產單位來說損失很大。

發明內容

為了解決現有技術中PVD假片利用率低的弊端，本發明提供一種PVD假片的回收方法。

本發明的技術方案包括：

本發明提供一種PVD假片的回收方法，包括如下步驟：

步驟1.將表面沉積一層鋁合金膜的PVD假片浸入具有96-97％的H₂SO₄與30-32％的H₂O₂按20∶1-5體積比混合的混合液相當的H₂SO₄與H₂O₂終濃度的液體中，70℃-110℃條件下浸泡2-3小時，優選90℃條件下浸泡2小時，得圓片1；

步驟2.將圓片1浸入2％-49％的HF中以去除氧化層，得圓片2。

作為優化，上述方法中，所述圓片1在浸入2％-49％的HF中以去除氧化層之前，在氧存在條件下，CF4作為蝕刻氣體，干法蝕刻去除圓片1表面的硅渣。

作為優化，上述方法中，96-97％的H₂SO₄與30-32％的H₂O₂按10∶1體積比混合。

作為優化，上述方法中，所述干法蝕刻是在AEISO02中完成的。

作為優化，上述方法中，將圓片1浸入49％的HF中以去除氧化層。

作為優化，上述方法中，所述方法還包括如下步驟：用化學氣相沉積方法，在圓片2表面沉積既定厚度的氧化層。所述既定厚度優選為1000埃。

本發明所實現的有益效果在于：

利用本發明所提供的PVD假片回收方法，對表面沉積一層鋁合金膜的PVD假片進行回收的產物可以繼續作為PVD假片使用，大大降低了晶圓代工生產的成本。而且，本發明提供的PVD假片回收方法工藝簡單，操作方便，成本較低。

附圖說明

圖1：PVD工藝過程流程簡圖；

圖2：Gasonics?AE2001機臺操作流程簡圖；

圖3：APPLIED?MATERIALS?PRECISION?5000機臺操作流程簡圖；

圖4：本發明實施例示意圖。

具體實施方式

本發明中，經PVD工藝操作之后的PVD假片的結構為：裸硅+氧化層+鋁合金膜。本發明的目的之一就是去除其表面的鋁合金膜。本發明所稱的鋁合金是指鋁硅合金(硅含量約1％)或鋁硅銅合金(硅含量約1％，銅含量約0.5％)。

實施例1：

本實施例中，PVD假片為裸硅片(韓國SILTRON公司生產，規格為P型<100>晶向，厚度為0.625-0.725mm，電阻率為0.1-100Ω-cm)，用CVD(化學氣相沉積)在其表面沉積1000埃的氧化層后，經PVD工藝處理，表面沉積一層鋁合金膜。

PVD具體工藝過程可參考APPLIED?MATERIALS?ENDURA機臺操作手冊，大概過程如圖1所示。

如圖4所示，本實施例包括如下步驟：

步驟1.將表面沉積一層鋁合金膜的PVD假片浸入96-97％(體積百分含量)的H₂SO₄與30-32％(體積百分含量)的H₂O₂按10∶1體積比混合的混合液中(本領域技術人員根據常識可知，也可以使用其他濃度的H₂SO₄和H₂O₂混合，只要達到所需要的終濃度即可)，90℃條件下，浸泡2小時。