[發(fā)明專利]PVD假片的回收方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010509219.6
• 申請(qǐng)日: 2010-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN102443769A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁欣;李冠欣;陳志新;崔曉娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/16;C23F1/20;C23F1/12;C23C16/40
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.PVD假片的回收方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟1.將表面沉積一層鋁合金膜的PVD假片浸入具有96-97％的H₂SO₄與30-32％的H₂O₂按20∶1-5體積比混合的混合液相當(dāng)?shù)腍₂SO₄與H₂O₂終濃度的液體中，70℃-110℃條件下，浸泡2-3小時(shí)，得圓片1；

步驟2.將圓片1浸入2％-49％的HF中以去除氧化層，得圓片2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圓片1在浸入2％-49％的HF中以去除氧化層之前，在氧存在條件下，CF₄作為蝕刻氣體，干法蝕刻去除圓片1表面的硅渣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，96-97％的H₂SO₄與30-32％的H₂O₂按10∶1體積比混合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，90℃條件下，浸泡2小時(shí)，得圓片1。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法蝕刻是在AEISO02中完成的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，將圓片1浸入49％的HF中以去除氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括如下步驟：用化學(xué)氣相沉積方法，在圓片2表面沉積既定厚度的氧化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述既定厚度是指1000埃。