[發明專利]無載具的半導體封裝件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010508674.4
• 申請日: 2010-10-13
• 公開（公告）號: CN102446775A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 蔡岳穎;湯富地;黃建屏;柯俊吉
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;張碩

1.一種無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

制備一具有相對第一及第二表面的金屬載板，使該金屬載板第一表面具有相對的凹槽及金屬塊；

在該凹槽中填充第一膠體，并外露出該金屬塊上表面；

將半導體芯片接置于該第一膠體上且電性連接至該金屬塊；

在該金屬載板第一表面上形成包覆該半導體芯片的第二膠體；以及

移除該金屬載板第二表面的部分金屬載板，以外露出該金屬塊及第一膠體下表面。

2.根據權利要求1所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括在該金屬塊下表面植設焊球及進行切單作業。

3.根據權利要求1所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該金屬塊上表面覆蓋有鍍層，以使該半導體芯片通過焊線或覆晶方式電性連接至該鍍層。

4.根據權利要求3所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該鍍層是以噴鍍銀或浸泡有機可焊保護膜的方式形成于該金屬塊上表面。

5.根據權利要求3所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括在覆蓋該鍍層之前，在該金屬塊上表面形成3至20微米厚的金屬層，且所覆蓋的鍍層包覆該金屬層。

6.根據權利要求1所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該具有凹槽及金屬塊的金屬載板的制造方法包括：

提供一金屬載板，該金屬載板具有相對的第一表面及第二表面，以在該金屬載板第一表面上形成圖案化的第一阻層，并在該金屬載板第二表面上覆蓋第二阻層；以及

利用半蝕刻工藝移除未為該第一阻層覆蓋的部分金屬載板，藉以在該金屬載板第一表面形成多個凹槽及相對的金屬塊。

7.根據權利要求1所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該具有凹槽及金屬塊的金屬載板的制造方法包括：

提供一具相對第一表面及第二表面的金屬載板，以在該金屬載板第一表面形成圖案化的第一阻層，在該金屬載板第二表面覆蓋第二阻層，其中，該圖案化的第一阻層形成有多個開口以外露該金屬載板；

在該圖案化第一阻層開口中覆蓋鍍層；

移除該第一阻層及第二阻層；以及

對該金屬載板第一表面進行半蝕刻工藝，利用該鍍層作為蝕刻阻層，以移除部分金屬載板，藉以在該金屬載板第一表面形成相對的凹槽及金屬塊。

8.根據權利要求1所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該金屬塊對應為焊墊及芯片墊。

9.一種無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

制備一具有相對第一及第二表面的金屬載板，使該金屬載板第一表面具有相對的凹槽及金屬塊；

在該凹槽中填充第一膠體，并外露出該金屬塊上表面；

在該第一膠體及金屬塊上表面形成導電跡線，并使該導電跡線電性連接至該金屬塊；

將半導體芯片接置于該第一膠體上且電性連接至該導電跡線；

在該金屬載板第一表面上形成包覆該半導體芯片及該導電跡線的第二膠體；以及

移除該金屬載板第二表面的部分金屬載板，以外露出該金屬塊及第一膠體下表面。

10.根據權利要求9所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括在該金屬塊下表面植設焊球及進行切單作業。

11.根據權利要求9所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該導電跡線終端覆蓋有鍍層，以供該半導體芯片通過焊線或覆晶方式經由該鍍層電性連接該導電跡線。

12.根據權利要求11所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該鍍層是以噴鍍銀或浸泡有機可焊保護膜的方式形成于該導電跡線終端上表面。

13.根據權利要求9所述的無載具的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，該導電跡線的制造方法包括：

在該第一膠體及金屬塊上表面形成導電層；

在該導電層上形成一圖案化第三阻層，使該圖案化第三阻層形成有多個開口；以及

在該第三阻層開口中形成多條導電跡線，并令該導電跡線電性連接至該金屬塊。