[發(fā)明專利]形成精細(xì)圖案的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010508383.5
• 申請(qǐng)日: 2010-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102208330A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸昌漢;李銀荷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/311;H01L21/31
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

1.一種方法，包括以下步驟：

在遍布第一區(qū)和第二區(qū)地延伸的刻蝕目標(biāo)層之上形成硬掩模層；

在所述第一區(qū)的所述硬掩模層之上形成犧牲層圖案；

在所述犧牲層圖案的側(cè)壁上形成間隔件圖案之后，去除所述犧牲層圖案；

使用所述間隔件圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)選擇性地刻蝕所述第一區(qū)的所述硬掩模層，并保護(hù)所述第二區(qū)的所述硬掩模層免于被刻蝕；

去除所述間隔件圖案；

在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述硬掩模層之上形成切割掩模圖案；

使用所述切割掩模圖案作為刻蝕阻擋層，來(lái)刻蝕所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述硬掩模層；

去除所述切割掩模圖案；以及

使用所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述硬掩模層作為刻蝕阻擋層并對(duì)所述刻蝕目標(biāo)層進(jìn)行刻蝕，以分別在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中形成圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇性地刻蝕所述第一區(qū)的所述硬掩模層的步驟包括以下步驟：

在所述第二區(qū)的所述硬掩模層之上形成掩模圖案，其中所述掩模圖案暴露出所述第一區(qū)；以及

使用所述間隔件圖案和所述掩模圖案來(lái)刻蝕所述第一區(qū)的所述硬掩模層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述掩模圖案是使用從I線光源、KrF光源和ArF光源中選取的任一種光源進(jìn)行曝光而形成的光致抗蝕劑層圖案。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述硬掩模層和所述犧牲層圖案的步驟包括以下步驟：

在所述硬掩模層之上形成犧牲層；

在所述犧牲層之上形成抗反射層；

在所述第一區(qū)的所述抗反射層之上形成第一掩模圖案；以及

使用所述第一掩模圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述犧牲層，以形成所述犧牲層圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，利用浸入式光刻工藝來(lái)形成所述第一掩模圖案。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模層是多晶硅層或具有層疊起來(lái)的氧氮化硅層和多晶硅層的疊層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層圖案由非晶碳層或旋涂碳層形成。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件圖案具有關(guān)于所述犧牲層圖案和所述硬掩模層的刻蝕選擇性。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件圖案是氧化物層或氮化物層。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層圖案是光致抗蝕劑層圖案。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件圖案是低溫氧化物層。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成間隔件圖案的步驟包括以下步驟：

在包括所述犧牲層圖案的結(jié)構(gòu)的輪廓之上形成用于間隔件的絕緣層；以及

以在所述犧牲層圖案的側(cè)壁上保留所述用于間隔件的絕緣層的方式，對(duì)所述用于間隔件的絕緣層進(jìn)行刻蝕。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，利用原子層沉積工藝來(lái)形成所述用于間隔件的絕緣層。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述切割掩模圖案是通過(guò)執(zhí)行基于浸入式光刻技術(shù)的圖案化工藝而獲得的光致抗蝕劑層圖案。

15.如權(quán)利要求第1所述的方法，其中，所述切割掩模圖案分別在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中限定不同的圖案。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述切割掩模圖案作為刻蝕阻擋層來(lái)刻蝕所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的硬掩模層的步驟包括如下步驟：刻蝕所述硬掩模層以在所述第一區(qū)中形成孔圖案，其中所述硬掩模層在所述第二區(qū)中限定線狀圖案。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述線狀圖案限定所述第二區(qū)的有源區(qū)。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述切割掩模圖案之前，在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的硬掩模層之上形成平坦化層。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述平坦化層可以是旋轉(zhuǎn)涂覆層或旋涂電介質(zhì)層。

20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述平坦化層被形成為比所述硬掩模層厚。