[發明專利]濕法處理方法及回蝕方法

有效

• 申請號: 201010508098.3
• 申請日: 2010-10-15
• 公開（公告）號: CN102446702A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 劉煥新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種濕法處理方法，用于對半導體襯底上的二氧化硅進行濕法清洗或濕法刻蝕，其特征在于，包括如下步驟：

將所述半導體襯底置于裝有稀釋的氫氟酸的第三槽中，對所述半導體襯底上的二氧化硅進行清洗或刻蝕；

往所述第三槽的底部通入第一去離子水，將所述第三槽中的稀釋的氫氟酸完全排出，并利用所述第一去離子水對所述半導體襯底進行沖洗；以及

對所述半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干。

2.如權利要求1所述的濕法處理方法，其特征在于，所述對半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干包括如下步驟：

將所述半導體襯底從所述第三槽中取出，置于裝有第一標準清洗液的第四槽中，對所述半導體襯底進行清洗；

將所述半導體襯底從所述第四槽中取出，置于裝有第一去離子水的第五槽中，對所述半導體襯底進行沖洗；以及

將所述半導體襯底從所述第五槽中取出，置于第六槽中，對所述半導體襯底進行烘干。

3.如權利要求1所述的濕法處理方法，其特征在于，所述對半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干包括如下步驟：

用所述第三槽中的第一去離子水配制第一標準清洗液，對所述半導體襯底進行清洗；

往所述第三槽的底部通入第一去離子水，將所述第三槽中的第一標準清洗液完全排出，并利用所述第一去離子水對所述半導體襯底進行沖洗；以及

將所述半導體襯底從所述第三槽中取出，置于第六槽中，對所述半導體襯底進行烘干。

4.如權利要求3所述的濕法處理方法，其特征在于，所述往第三槽的底部通入第一去離子水的流速為30L/min。

5.如權利要求1所述的濕法處理方法，其特征在于，所述稀釋的氫氟酸中的氫氟酸與水的體積比為1∶100～1∶500，且所述稀釋的氫氟酸的溫度為常溫。

6.如權利要求1所述的濕法處理方法，其特征在于，所述第一去離子水的溫度為常溫。

7.一種回蝕方法，用于對半導體襯底中淺溝槽兩側的阻擋層及墊氧化層進行回蝕，其特征在于，該方法包括如下步驟：

將所述半導體襯底置于裝有磷酸的第一槽中，對所述阻擋層進行回蝕；

將所述半導體襯底從所述第一槽中取出，置于裝有第二去離子水的第二槽中，對所述半導體襯底進行沖洗；

將所述半導體襯底從所述第二槽中取出，置于裝有稀釋的氫氟酸的第三槽中，對所述半導體襯底上的墊氧化層進行回蝕；

往所述第三槽的底部通入第一去離子水，將所述第三槽中的稀釋的氫氟酸完全排出，并利用第一去離子水對所述半導體襯底進行沖洗；以及

對所述半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干。

8.如權利要求7所述的回蝕方法，其特征在于，所述對半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干包括如下步驟：

將所述半導體襯底從所述第三槽中取出，置于裝有第一標準清洗液的第四槽中，對所述半導體襯底進行清洗；

將所述半導體襯底從所述第四槽中取出，置于裝有第一去離子水的第五槽中，對所述半導體襯底進行沖洗；以及

將所述半導體襯底從所述第五槽中取出，置于第六槽中，對所述半導體襯底進行烘干。

9.如權利要求7所述的回蝕方法，其特征在于，所述對半導體襯底依次進行第一標準清洗液清洗、第一去離子水沖洗及烘干包括如下步驟：

用所述第三槽中的第一去離子水配制第一標準清洗液，對所述半導體襯底進行清洗；

往所述第三槽的底部通入第一去離子水，將所述第三槽中的第一標準清洗液完全排出，并利用所述第一去離子水對所述半導體襯底進行沖洗；以及

將所述半導體襯底從所述第三槽中取出，置于第六槽中，對所述半導體襯底進行烘干。

10.如權利要求7所述的回蝕方法，其特征在于，所述磷酸的濃度為85％，其溫度為160℃～165℃。

11.如權利要求7所述的回蝕方法，其特征在于，所述對阻擋層進行回蝕的寬度為50～100埃。