[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)與封裝制作工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010506989.5 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102005529A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭鉉洙;李善九;樸隆植;李賢一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) 制作 工藝 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括:
載具;
發(fā)光二極管芯片,配置于該載具上,且該發(fā)光二極管芯片具有至少一電極;
第一封膠,配置于該載具上并且覆蓋該發(fā)光二極管芯片,該第一封膠具有至少一預(yù)先形成的開孔,用以暴露出該至少一電極的至少一部分;
至少一焊線,經(jīng)由該至少一預(yù)先形成的開孔而電連接于該至少一電極與該載具之間;
多個(gè)熒光粒子,分布于該第一封膠之內(nèi);以及
第二封膠,配置于該載具上并且包封該發(fā)光二極管芯片、該第一封膠以及該至少一焊線。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中該第一封膠覆蓋除了該至少一電極被暴露的該部分以及該發(fā)光二極管芯片面向該載具的一底面以外的該發(fā)光二極管芯片的其余部分。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),該發(fā)光二極管芯片的一底面與該第一封膠的一底面共平面。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),還包括:一基板,配置于該發(fā)光二極管芯片與該載具之間,其中該第一封膠的一側(cè)面與該基板的一側(cè)面共平面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),還包括:一襯層,配置于該發(fā)光二極管芯片與該載具之間,其中該襯層的一底面與該第一封膠的一底面共平面。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中該載具具有一凹陷,用以容置該發(fā)光二極管芯片以及該第一封膠。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中該第二封膠填入該凹陷內(nèi),且該第二封膠的一頂面與該載具的環(huán)繞該凹陷的一頂面共平面。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),該第二封膠的外型實(shí)質(zhì)上為一凸形透鏡。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其中該發(fā)光二極管芯片具有一第一電極以及一第二電極,共同設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的一頂面上,且該第一電極以及該第二電極分別經(jīng)由一第一焊線以及一第二焊線電連接至該載具。
10.一種發(fā)光二極管封裝制作工藝,包括:
配置多個(gè)發(fā)光二極管芯片在一基板上,其中每一發(fā)光二極管芯片具有至少一電極;
分別形成至少一犧牲凸塊于每一發(fā)光二極管芯片的該至少一電極上;
形成一第一封膠于該基板上,以覆蓋該些發(fā)光二極管芯片以及每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊,其中該第一封膠內(nèi)混合多個(gè)熒光粒子;
從該第一封膠的一頂側(cè)來薄化該第一封膠,以暴露每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊的一頂部;
蝕刻每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊,以在該第一封膠內(nèi)形成一開孔,該開孔暴露每一發(fā)光二極管芯片的該至少一電極的至少一部分;
進(jìn)行一單體化步驟,以分離該些發(fā)光二極管芯片,并得到多個(gè)發(fā)光二極管單元;
接合該些發(fā)光二極管單元其中之一至一載具,并且通過通過該開孔的至少一焊線電連接該發(fā)光二極管單元的該發(fā)光二極管芯片的該至少一電極至該載具;以及
形成一第二封膠于該載具上,以包封該發(fā)光二極管單元以及該至少一焊線。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝,在該單體化步驟之前并且在形成該第一封膠之后,該基板是與每一發(fā)光二極管芯片上的該至少一犧牲凸塊一起經(jīng)由蝕刻而被移除。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝,還包括:形成一襯層于每一發(fā)光二極管芯片與該基板之間。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝,其中該發(fā)光二極管單元是隔著該基板而被接合至該載具上。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝制作工藝,其中該第一封膠或該第二封膠中的至少一個(gè)是采點(diǎn)膠、印刷或是灌模方式形成。
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