[發明專利]LDMOS器件結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201010505593.9
• 申請日: 2010-10-13
• 公開（公告）號: CN102446968A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 張帥;王海軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種LDMOS器件結構，包括MOS管單元，所述MOS管單元的源區和漏區外側都設置有隔離區，其特征在于，所述隔離區材料為二氧化硅，所述隔離區包括有多個隔離槽，將MOS管單元與周圍隔離，所述隔離區的高度不高于所述MOS管單元柵極的高度。

2.根據權利要求1所述的LDMOS器件結構，其特征在于，所述隔離槽中有空氣間隙。

3.根據權利要求1所述的LDMOS器件結構，其特征在于，所述隔離槽為深槽。

4.一種如權利要求1～3所述的LDMOS器件結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，在sub上通過外延形成器件與襯底的隔離層，然后通過注入形成器件連接到襯底的連接層；

步驟2，成長SiO₂作為硬掩膜，利用光刻形成隔離區的多個深槽圖形，然后通過干法刻蝕基板形成隔離槽；

步驟3，通過高溫推阱，消耗隔離槽之間的硅，形成二氧化硅絕緣層；

步驟4，化學藥液去除晶片表面的二氧化硅，然后進行后續制作源、漏、柵的工藝。