[發(fā)明專利]RFLDMOS器件中自對準(zhǔn)低電阻柵極的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010504064.7 | 申請日： | 2010-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN102543695A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張帥;遇寒;孫勤;王海軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | rfldmos 器件 對準(zhǔn) 電阻 柵極 制備 方法 | ||
1.一種RFLDMOS器件中自對準(zhǔn)低電阻柵極的制備方法，其特征在于，在襯底上形成的多晶硅柵極后，包括如下步驟：
步驟一，在襯底上淀積介質(zhì)層；
步驟二，在所述介質(zhì)層上淀積有機填充材料，所述有機填充材料為抗反射材料或光刻膠，覆蓋所述多晶硅柵極的臺階；
步驟三，刻蝕去除所述多晶硅柵極上面的介質(zhì)層及有機填充材料，并在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻；
步驟四，去除在源區(qū)和漏區(qū)上的有機填充材料、介質(zhì)層和柵氧，然后淀積與所述硅形成合金的金屬；
步驟五，經(jīng)過退火處理在所述多晶硅柵極、源區(qū)和漏區(qū)上形成硅合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一中淀積的介質(zhì)層為氧化層，采用低壓化學(xué)氣相淀積法淀積，所述氧化層厚度為400～1000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟二中的有機填充材料為具有流動性的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一和二中的所淀積的材料為可在步驟三中采用干法刻蝕法回刻僅去除在柵極上面的淀積材料部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述步驟四中的金屬為W、Ti或Ni，所述金屬的厚度為100～2000埃。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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