[發明專利]光半導體元件的制造方法、及該元件保護層形成用組合物

無效

• 申請號: 201010502435.8
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN102034908A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 野邊洋平;加藤仁史;小林薰平;宮本智明;住谷孝治;小久保輝一
• 申請（專利權）人: JSR株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;C09D183/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 左嘉勛;顧晉偉

技術領域

本發明涉及光半導體元件的制造方法、以及光半導體元件保護層形成用組合物。

背景技術

公知在光半導體元件的制造過程中，在用激光形成分離溝槽以前，形成保護層(保護膜)的技術。

作為一例，在將在基板上形成的第III族氮化物系化合物半導體元件進行分離從而得到一個一個的第III族氮化物系化合物半導體元件的制造方法中，提出了第III族氮化物系化合物半導體元件的制造方法，其特征在于：具有以下工序：成為分離線上的第III族氮化物系化合物半導體層僅殘留靠近上述基板一側的電極形成層的狀態、或者成為沒有分離線上的第III族氮化物系化合物半導體層的狀態的半導體層除去工序；形成覆蓋基板表層、且通過后續工序能夠除去的保護膜的保護膜形成工序；沿著分離線掃描激光束從而形成分離溝槽的激光掃描工序；除去上述保護膜和由激光束掃描產生的不需要物的保護膜等除去工序，使沿著分離線用由激光束掃描形成的分離溝槽將基板逐個元件地進行分離，從而制出一個一個的第III族氮化物系化合物半導體元件(專利文獻1)。

該文獻記載的方法，通過形成保護膜，可防止因激光掃描產生的熔融物等附著于半導體元件，另外，可防止因激光掃描發生的光半導體元件的斷裂、缺損。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-31526號公報

發明內容

在形成上述分離溝槽時生成的熔融物等附著物例如可以用酸除去。這時，就希望在半導體層的表面形成的保護層對酸的耐性(耐酸性)要高。另外，希望保護層耐斷裂性優異。其理由是，假如生成裂紋，酸就會浸透進裂紋，從而使保護層下方的半導體層受到不良影響。

這樣，就期望耐酸性和耐斷裂性優異的保護層。但是，在上述的專利文獻1中，完全沒有記載保護層的材料的具體例。因此，本發明人對保護層的材料進行了研究，結果，從以往的文獻中未能發現能夠形成耐酸性和耐斷裂性優異的保護層的材料。

因此，本發明的目的在于提供，即使為了除去在形成用于分離成元件單元的分離溝槽時產生的附著物而使用酸的情況下，也不會對半導體層造成不良影響，并且耐酸性以及耐斷裂性優異的保護層形成用組合物，以及使用該組合物的光半導體元件的制造方法。

本發明人發現通過使用特定的材料形成保護層，能夠達到上述的目的，進而完成本發明。

即，本發明提供以下[1]～[10]的方案。

[1]一種光半導體元件的制造方法，其特征在于，是含有基板和形成于該基板上的半導體層的光半導體元件的制造方法，該方法包含以下工序：向在基板上形成的半導體層的表面涂布保護層形成用組合物，從而形成保護層的保護層形成工序；從所述保護層的上方照射激光，從而形成比所述保護層和半導體層的厚度之和深的1個以上分離溝槽的分離溝槽形成工序；以及除去在形成所述分離溝槽時生成的附著物的附著物除去工序，其中，所述保護層形成用組合物含有硅氧烷系聚合物以及有機溶劑。

[2]如上述1所述的光半導體元件的制造方法，其中，包含在所述附著物除去工序之后，除去所述保護層的保護層除去工序。

[3]如上述1或2中所述的光半導體元件的制造方法，其中，作為最后的工序，包含通過所述1個以上分離溝槽將基板分離成元件單元的基板分離工序。

[4]如上述1～3中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，包含以下的凹部形成工序：在所述保護層形成工序之前，在包括形成所述分離溝槽的位置的所述半導體層的區域上，按照具有比所述分離溝槽大的寬度的方式形成比所述分離溝槽淺的凹部。

[5]如上述1～4中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物是將含有選自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一種的硅烷化合物進行水解縮合從而得到的水解縮合物。

R¹_cSiX¹_4-c??·····(1)

(式中，R¹表示1價的非水解性基團，X¹表示1價的水解性基團，c表示0～2的整數。)

R²_b(X²)_3-bSi-R⁴-Si(X³)_3-cR³_c???·····(2)