[發明專利]光半導體元件的制造方法、及該元件保護層形成用組合物無效
| 申請號： | 201010502435.8 | 申請日： | 2010-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102034908A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 野邊洋平;加藤仁史;小林薰平;宮本智明;住谷孝治;小久保輝一 | 申請（專利權）人： | JSR株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;C09D183/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 左嘉勛;顧晉偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 制造 方法 保護層 形成 組合 | ||
1.一種光半導體元件的制造方法，其特征在于，是含有基板和形成于該基板上的半導體層的光半導體元件的制造方法，該方法包含以下工序：
向在基板上形成的半導體層的表面涂布保護層形成用組合物，從而形成保護層的保護層形成工序；
從所述保護層的上方照射激光，從而形成比所述保護層和半導體層的厚度之和深的1個以上分離溝槽的分離溝槽形成工序；以及
除去在形成所述分離溝槽時生成的附著物的附著物除去工序，
所述保護層形成用組合物含有硅氧烷系聚合物以及有機溶劑。
2.如權利要求1所述的光半導體元件的制造方法，其中，包含在所述附著物除去工序之后，除去所述保護層的保護層除去工序。
3.如權利要求1或2中所述的光半導體元件的制造方法，其中，作為最后的工序，包含通過所述1個以上分離溝槽將基板分離成元件單元的基板分離工序。
4.如權利要求1～3中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，包含在所述保護層形成工序之前，在包括形成所述分離溝槽的位置的所述半導體層的區域上，按照具有比所述分離溝槽大的寬度的方式形成比所述分離溝槽淺的凹部的凹部形成工序。
5.如權利要求1～4中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物是將含有選自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一種的硅烷化合物進行水解縮合從而得到的水解縮合物，
R1cSiX14-c??·····(1)
式中，R1表示1價的非水解性基團，X1表示1價的水解性基團，c表示0～2的整數，
R2b(X2)3-bSi-R4-Si(X3)3-cR3c??·····(2)
式中，R2、R3相同或不同，各自表示1價的非水解性基團，R4表示2價的非水解性基團，X2、X3相同或不同，各自表示1價的水解性基團，b以及c相同或不同，表示0～2的整數。
6.如權利要求1～5中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物的重均分子量是1000～30000。
7.如權利要求1～6中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，所述保護層形成用組合物，相對于100質量份所述硅氧烷系聚合物，含有0.001～10質量份的堿金屬化合物或堿土金屬化合物。
8.如權利要求1～7中任一項所述的光半導體元件的制造方法，其中，所述保護層形成用組合物含有氧化硅粒子。
9.一種光半導體元件保護層形成用組合物，其特征在于，用于形成在制造光半導體元件的過程中在半導體層的表面暫時形成的保護層，含有硅氧烷系聚合物以及有機溶劑。
10.如權利要求9中所述的光半導體元件保護層形成用組合物，其中，所述硅氧烷系聚合物是將含有選自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一種的硅烷化合物進行水解縮合從而得到的水解縮合物，
R1cSiX14-c??·····(1)
式中，R1表示1價的非水解性基團，X1表示1價的水解性基團，c表示0～2的整數，
R2b(X2)3-bSi-R4-Si(X3)3-cR3c??·····(2)
式中，R2、R3相同或不同，各自表示1價的非水解性基團，R4表示2價的非水解性基團，X2、X3相同或不同，各自表示1價的水解性基團，b以及c相同或不同，表示0～2的整數。
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