[發(fā)明專利]非易失性存儲器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010501924.1 | 申請日： | 2008-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101996875A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭明昌 | 申請（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 非易失性存儲器 制造 方法 | ||
1.一種非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上依序地形成一疊層結(jié)構(gòu)以及一消耗層；
在該消耗層的周圍區(qū)域進行一轉(zhuǎn)變工藝以形成一第一絕緣層；
移除該消耗層；以及
在該疊層結(jié)構(gòu)與該第一絕緣層上形成一導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該疊層結(jié)構(gòu)包括依序在該基底上形成的一第二絕緣層、一電荷儲存層以及一第三絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該第三絕緣層的厚度介于80埃至100埃之間，而該第一絕緣層的厚度介于10埃至5埃之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該第二絕緣層的厚度介于50埃至60埃之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該電荷儲存層的厚度介于60埃至80埃之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該電荷儲存層為一介電材質(zhì)，且該介電材質(zhì)提供電荷儲存能力。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該介電材質(zhì)為一氮化物層包括氮化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其特征在于，該轉(zhuǎn)變工藝為一氧化工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
