[發(fā)明專利]鍍膜裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010300982.8 | 申請(qǐng)日: | 2010-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102140630A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 裴紹凱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/54 | 分類號(hào): | C23C16/54;C23C16/513 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鍍膜裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的利用電子回旋共振微波等離子體鍍膜時(shí),是將反應(yīng)氣體由反應(yīng)室上方通入,再由微波產(chǎn)生器產(chǎn)生微波,經(jīng)導(dǎo)波管導(dǎo)入反應(yīng)室,微波在反應(yīng)室內(nèi)的待鍍膜基材上方形成駐波激發(fā)反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體。同時(shí)在反應(yīng)室外圍放置兩組電磁鐵,電磁鐵可使電子回旋,進(jìn)一步提高等離子體生成的效率,從而使得等離子狀態(tài)的反應(yīng)氣體在待鍍膜基材上生成膜結(jié)構(gòu)。
然而這種鍍膜方式一般只能對(duì)一個(gè)圓形待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜,限制了生產(chǎn)效率,無法滿足大批量快速生產(chǎn)的要求。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種高效的鍍膜裝置。
一種鍍膜裝置,其用于對(duì)待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜;該鍍膜裝置包括一外殼、一反應(yīng)裝置、至少一個(gè)第一進(jìn)氣管、至少一個(gè)第二進(jìn)氣管及至少一個(gè)出氣管,所述外殼具有反應(yīng)腔,所述反應(yīng)腔側(cè)壁上設(shè)置有用來收容多個(gè)待鍍膜基材的容置槽,所述反應(yīng)裝置容置在外殼內(nèi)并能夠在該反應(yīng)腔內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng);反應(yīng)裝置呈筒狀,所述反應(yīng)裝置包括第一容置腔及多個(gè)電磁鐵,所述反應(yīng)裝置沿軸向設(shè)置有多個(gè)第一噴口,所述第一噴口連通所述第一容置腔及所述反應(yīng)腔,沿反應(yīng)裝置軸向開設(shè)的用于傳導(dǎo)微波的微波管道,所述微波管道與各第一噴口連通,所述第一進(jìn)氣管、第二進(jìn)氣管與所述第一容置腔連通,所述出氣管與所述反應(yīng)腔相連通,所述多個(gè)電磁鐵位于所述多個(gè)第一噴口兩側(cè)用于向上述微波形成的等離子體施加磁場(chǎng)以產(chǎn)生電子回旋共振。
本發(fā)明提供的鍍膜裝置利用旋轉(zhuǎn)的反應(yīng)裝置能夠同時(shí)對(duì)周圍多個(gè)待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜,從而可以批量、快速的實(shí)現(xiàn)鍍膜,提高鍍膜的效率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中提供的鍍膜裝置的分解示意圖。
圖2為圖1的鍍膜裝置的另一視角的示意圖。
圖3為圖1的鍍膜裝置組裝后的剖視圖。
圖4為圖1的鍍膜裝置組裝后的另一剖視圖。
主要元件符號(hào)說明
鍍膜裝置????????????100
外殼????????????????10
底壁????????????????11
軸孔????????????????110
開口端??????????????12
側(cè)壁????????????????13
承載板??????????????14
容置槽??????????????141
加熱棒??????????????142
反應(yīng)腔??????????????15
反應(yīng)裝置????????????20
外筒????????????????21
外筒主體????????????210
工作部??????????????211
第一側(cè)壁????????????211a
第二側(cè)壁????????????211b
電磁鐵??????????????211c
波導(dǎo)管??????????????211d
微波管道????????????211e
第一噴口????????????213
內(nèi)筒????????????????22
第二噴口????????????221
底板????????????????23
轉(zhuǎn)軸????????????????24
第一容置腔??????????25
第二容置腔??????????26
封閉蓋??????????????30
第一進(jìn)氣管??????????31
第二進(jìn)氣管??????????32
出氣管????????????????33
通孔??????????????????34
具體實(shí)施方式
請(qǐng)一并參閱圖1及圖2,為本發(fā)明提供的鍍膜裝置100,所述鍍膜裝置100包括一個(gè)外殼10、一個(gè)反應(yīng)裝置20及一個(gè)封閉蓋30。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





