[發明專利]鍍膜裝置無效
| 申請號: | 201010300982.8 | 申請日: | 2010-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN102140630A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發明(設計)人: | 裴紹凱 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C16/513 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜 裝置 | ||
1.一種鍍膜裝置,其用于對待鍍膜基材進行鍍膜;該鍍膜裝置包括一外殼、一反應裝置、至少一個第一進氣管、至少一個第二進氣管及至少一個出氣管,所述外殼具有反應腔,所述反應腔側壁上設置有用來收容多個待鍍膜基材的容置槽,所述反應裝置容置在外殼內并能夠在該反應腔內轉動;反應裝置呈筒狀,所述反應裝置包括第一容置腔及多個電磁鐵,所述反應裝置沿軸向設置有多個第一噴口,所述第一噴口連通所述第一容置腔及所述反應腔,沿反應裝置軸向開設的用于傳導微波的微波管道,所述微波管道與各第一噴口連通,所述第一進氣管、第二進氣管與所述第一容置腔連通,所述出氣管與所述反應腔相連通,所述多個電磁鐵位于所述多個第一噴口兩側用于向上述微波形成的等離子體施加磁場以產生電子回旋共振。
2.如權利要求1所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述反應裝置包括外筒及內筒,所述內筒容置在外筒中,所述第一容置腔形成于所述外筒與所述內筒之間,所述內筒圍成第二容置腔,所述第一噴口沿所述外筒軸向設置,所述內筒的沿軸向開設有多個第二噴口,所述第二噴口連通所述第一容置腔與所述第一容置腔,所述微波管道沿外筒軸向開設于所述外筒的筒壁內,所述反應裝置還包括用于引入微波的波導管,所述波導管軸向設置于所述外筒上,所述波導管與所述微波管道連通,所述第一進氣管、第二進氣管及出氣管分別與所述第一容置腔、所述第二容置腔及所述反應腔相連通。
3.如權利要求2所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述外筒包括外筒主體及兩個工作部,所述兩個工作部形成于所述外筒主體的兩側,且沿所述外筒軸向延伸,所述工作部包括沿所述外筒軸向延伸的一個第一側壁及兩個第二側壁,所述第一側壁位于遠離所述外筒主體一側,所述兩個第二側壁垂直固設于所述第一側壁的兩側,并連接于外筒主體與所述第一側壁,所述多個第一噴口軸向開設于所述第一側壁上,所述多個電磁鐵沿所述外筒軸向排列于所述第二側壁上,所述微波管道沿所述外筒軸向開設于所述工作部內。
4.如權利要求2所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述波導管與所述微波管道內徑相同。
5.如權利要求2所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述各第一噴口沿外筒軸向等間距排列。
6.如權利要求2所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述各第二噴口沿內筒軸向等間距排列。
7.如權利要求1所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述外殼一端設置有軸孔,所述反應裝置一端設置有轉軸,所述轉軸從所述軸孔伸出,所述反應裝置與所述外殼通過轉軸與軸孔轉動連接。
8.如權利要求1所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述外殼包括多個承載板,所述承載板固設于所述外殼內壁上,所述承載板上開設有用于收容待鍍膜基材的容置槽。
9.如權利要求1所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述外殼還包括多個沿所述外殼軸向裝設的用于加熱待鍍膜基材的加熱棒,所述加熱棒對應所述容置槽設于所述外殼內。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





