[發明專利]一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法無效
| 申請號： | 201010300736.2 | 申請日： | 2010-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN101775662A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發明（設計）人： | 吳學林;盧小丹 | 申請（專利權）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高純 多晶 硅硅塊 腐蝕 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法，其特征在于包括以下步驟：
在混酸腐蝕和純水(EW-I)漂洗工序后設置氫氟酸溶液腐蝕工序；
氫氟酸溶液為電子級氫氟酸和純水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀釋而成，腐蝕浸泡時間根據硅塊表面的氧化層厚薄及氫氟酸的溶液濃度決定；
超聲清洗之后再用熱氮氣切水、真空烘干從而得到滿足直拉單晶要求的高純免洗多晶硅硅塊。
2.根據權利要求1所述的一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法，其特征在于：在氫氟酸溶液腐蝕工序中腐蝕浸泡時間為8～60s。
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