[發(fā)明專利]一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010300736.2 | 申請(qǐng)日： | 2010-01-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101775662A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳學(xué)林;盧小丹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B33/10 | 分類號(hào)： | C30B33/10;C30B29/06;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務(wù)所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007湖*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高純 多晶 硅硅塊 腐蝕 清洗 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法，其特征在于包括以下步驟：
在混酸腐蝕和純水(EW-I)漂洗工序后設(shè)置氫氟酸溶液腐蝕工序；
氫氟酸溶液為電子級(jí)氫氟酸和純水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀釋而成，腐蝕浸泡時(shí)間根據(jù)硅塊表面的氧化層厚薄及氫氟酸的溶液濃度決定；
超聲清洗之后再用熱氮?dú)馇兴⒄婵蘸娓蓮亩玫綕M足直拉單晶要求的高純免洗多晶硅硅塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純多晶硅硅塊腐蝕清洗的方法，其特征在于：在氫氟酸溶液腐蝕工序中腐蝕浸泡時(shí)間為8～60s。
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