[發明專利]感光結構的制造方法

無效

• 申請號: 201010299874.3
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102420234A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 陳曉翔;邱奕翔;陳仁杰
• 申請（專利權）人: 漢積科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

技術領域

本發明是有關于一種感光電路的制造方法，且特別是有關于一種感光結構的制造方法。

背景技術

半導體工藝在電子裝置應用愈來愈廣的情形下，將各種不同的組件予以整合于同一芯片上，已經是主流趨勢。諸如光感測組件、主動組件電路、微結構等等，均可在分開進行光感測主動組件工藝與微結構工藝后，整合于同一基材上。如此的制造方法又稱為系統級封裝(System-in-Package；SIP)。

另一種已知工藝是在形成光感測組件及主動組件電路后，再進行微結構的工藝，再進行主動組件電路的金屬化工藝而完成晶片層級(wafer?level)的系統，并在將晶片切割為芯片后，進行封裝完成芯片的制造。在微結構制造過程中，通常采用反應性離子蝕刻(RIE)的等離子蝕刻方式形成微結構中，可移動的構件或部分。但是，上述方式所形成的微結構的輪廓(profile)并不理想。并且，反應性離子蝕刻所需設備昂貴。此外，微結構形成后，在進行芯片封裝之前，環境中的微粒或污染物可能掉落至微結構中，使其無法運作。

因此，如何設計一個新的感光結構的制造方法，以克服上述的缺失，乃為此一業界亟待解決的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種感光結構的制造方法，克服現有技術的缺陷。

本發明的一實施方式是在提供一種感光結構的制造方法，包含下列步驟：(a)形成電路層于第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感測組件，電路層包含至少一組件結構及至少一釋放特征結構，且釋放特征結構由金屬材料形成，并形成于部分的光感測組件及組件結構上；(b)覆蓋第一濾光層于電路層的部分區域上；以及(c)通過濕蝕刻工藝移除釋放特征結構。

依據本發明一實施例，其中形成電路層的步驟包含形成互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件。其中形成互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件時包含形成釋放特征結構。

依據本發明另一實施例，在步驟(a)還包含形成保護層于電路層上，其中保護層不覆蓋釋放特征結構。在步驟(c)前還包含形成抗蝕刻層于第一濾光層上保護層上。在步驟(c)后還包含配置第二基板于電路層上方以及第一濾光層上。其中第二基板為玻璃基板或硅基材，且具有為約50μm至約500μm的厚度。第二基板包含第二濾光層，以置于電路層及第一濾光層的部分區域上。

依據本發明又一實施例，其中釋放特征結構形成于組件結構上并圍繞組件結構的周圍部分，以貫穿電路層，在通過濕蝕刻工藝移除釋放特征結構后，還包含：曝露出第一基板的上表面于曝露出第一基板的上表面后還包含一步驟：非等向性蝕刻第一基板的上表面的部分。在步驟(c)后還包含下列步驟：(d)形成孔洞于第一基板的下表面，以曝露出對應于連接墊下方的電路層；(e)填充高分子材料于孔洞中；以及(f)移除第一基板對應于微機電結構下的部分，以釋放微機電結構。在步驟(e)后及步驟(d)前還包含一步驟：研磨第一基板的下表面，以減少第一基板的厚度。

依據本發明再一實施例，其中釋放特征結構形成于組件結構或光感測組件上并穿透電路層的一深度，在通過濕蝕刻工藝移除釋放特征結構后，還包含：曝露電路層對應深度的部分。

依據本發明更具有的一實施例，其中組件結構實質上為微光機電結構。

依據本發明再具有的一實施例，其中形成保護層的步驟包含形成氧化物層。濕蝕刻工藝使用包含硫酸及過氧化氫的蝕刻劑。

依據本發明一實施例，非等向性蝕刻包含深式反應離子蝕刻步驟。非等向性蝕刻第一基板的上表面的部分的步驟，包含形成凹陷部于第一基板，且凹陷部的深度為約5μm至約60μm。

依據本發明一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟。

依據本發明另一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟以及一深式反應離子蝕刻步驟。

依據本發明又一實施例，在步驟(f)后還包含下列步驟：(g)形成第三基板于第一基板下；(h)形成連接孔，以貫穿第三基板、高分子材料以及電路層，以通過連接孔曝露出連接墊；(i)形成導電層于連接孔的側壁上，以與連接墊相連接；以及(j)形成連接導體凸塊于導電層上。其中連接墊電性連接于組件結構，以使組件結構通過連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。連接墊亦可電性連接于互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件，以使互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件通過連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。