[發(fā)明專利]感光結(jié)構(gòu)的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010299874.3
• 申請(qǐng)日: 2010-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102420234A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曉翔;邱奕翔;陳仁杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 漢積科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

(a)形成一電路層于一第一基板的一上表面，其中該第一基板包含至少一光感測(cè)組件，該電路層包含至少一組件結(jié)構(gòu)，及至少一釋放特征結(jié)構(gòu)，且該釋放特征結(jié)構(gòu)由一金屬材料形成，并形成于部分的該光感測(cè)組件及該組件結(jié)構(gòu)上；

(b)覆蓋一第一濾光層于該電路層的部分區(qū)域上；以及

(c)通過(guò)一濕蝕刻工藝移除該釋放特征結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該電路層的步驟包含形成一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件及/或一雙載子互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件，且形成該互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件及/或該雙載子互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件時(shí)包含形成該釋放特征結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟(a)還包含形成一保護(hù)層于該電路層上，其中該保護(hù)層不覆蓋該釋放特征結(jié)構(gòu)，且在步驟(c)前還包含形成一抗蝕刻層于該第一濾光層上及該保護(hù)層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟(c)后還包含配置一第二基板于該電路層上方以及該第一濾光層上，其中該第二基板為一玻璃基板或一硅基材，且具有為50μm至500μm的一厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二基板包含一第二濾光層，以置于該電路層及該第一濾光層的部分區(qū)域上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該釋放特征結(jié)構(gòu)形成于該組件結(jié)構(gòu)上并圍繞該組件結(jié)構(gòu)的一周圍部分，以貫穿該電路層，在通過(guò)該濕蝕刻工藝移除該釋放特征結(jié)構(gòu)后，還包含：

曝露出該第一基板的該上表面；以及

非等向性蝕刻該第一基板的該上表面的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該電路層還包含一連接墊，該組件結(jié)構(gòu)為一微機(jī)電結(jié)構(gòu)，在步驟(c)后還包含下列步驟：

(d)形成一孔洞于該第一基板的該下表面，以曝露出對(duì)應(yīng)于該連接墊下方的該電路層；

(e)填充一高分子材料于該孔洞中；以及

(f)移除該第一基板對(duì)應(yīng)于該微機(jī)電結(jié)構(gòu)下的一部分，以釋放該微機(jī)電結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟(d)前還包含一步驟：

研磨該第一基板的該下表面，以減少該第一基板的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該釋放特征結(jié)構(gòu)形成于該組件結(jié)構(gòu)或該光感測(cè)組件上并穿透該電路層的一深度，在通過(guò)該濕蝕刻工藝移除該釋放特征結(jié)構(gòu)后，還包含：

曝露該電路層對(duì)應(yīng)該深度的部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該組件結(jié)構(gòu)為一微光機(jī)電結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該非等向性蝕刻包含一深式反應(yīng)離子蝕刻步驟及/或一深式反應(yīng)離子蝕刻步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該非等向性蝕刻該第一基板的該上表面的該部分的步驟，包含形成一凹陷部于該第一基板，且該凹陷部的深度為5μm至60μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在步驟(f)后還包含下列步驟：

(g)形成一第三基板于該第一基板下；

(h)形成一連接孔，以貫穿該第三基板、該高分子材料以及該電路層，以通過(guò)該連接孔曝露出該連接墊；

(i)形成一導(dǎo)電層于該連接孔的一側(cè)壁上，以與該連接墊相連接；以及

(j)形成一連接導(dǎo)體凸塊于該導(dǎo)電層上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接墊電性連接于該組件結(jié)構(gòu)，以使該組件結(jié)構(gòu)通過(guò)該連接墊、該導(dǎo)電層以及該連接導(dǎo)體凸塊與一外部電路連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的感光結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該電路層的步驟包含形成一互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件及/或一雙載子互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件，該連接墊電性連接于該互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件及/或該雙載子互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件，以使該互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件及/或該雙載子互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體組件通過(guò)該連接墊、該導(dǎo)電層以及該連接導(dǎo)體凸塊與一外部電路連接。