[發明專利]應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法有效
| 申請號： | 201010296409.4 | 申請日： | 2010-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101975793A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | 沈駿;李紅寶 | 申請（專利權）人： | 中國西電電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N25/02 | 分類號： | G01N25/02;G01N25/16 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710075*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用 高溫 膨脹 進行 電瓷坯體 燒成 溫度 范圍 測定 方法 | ||
1.一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：對電瓷坯體的線膨脹率曲線(1)進行微分，得到線膨脹率曲線的一次微分曲線(2)；由線膨脹率曲線(1)通過公式1和公式2聯合計算出熱膨脹系數曲線(3)；
α＝dL/L0×[1/(th-t0)]+α0???????????????(公式1)
其中：
α——試樣(th-t0)的平均線膨脹系數(10-6℃-1或10-6K-1)；
dL——試樣由溫度t0升至th的長度伸長量(mm)；
L0——室溫(t0)下試樣的長度(mm)；
t0——試驗時的起始溫度(℃)；
th——試驗實際加熱溫度(℃)；
α0——儀器的校正系數(10-6℃-1或10-6K-1)；
A＝dL/L0×100+α0(th-t0)×100????????????(公式2)
其中：
A——試樣(th-t0)的平均線膨脹率(％)；
一次微分曲線(2)的最后一個遞減區域內對應坐標中最高溫度，為電瓷坯體燒成的最低溫度點；
熱膨脹系數曲線(3)的最后一個遞減區域內對應坐標中最高溫度，為電瓷坯體燒成的最高溫度點。
2.如權利要求1所述一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：線膨脹率曲線(1)由高溫膨脹儀測得。
3.如權利要求2所述一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：所述高溫膨脹儀為德國耐馳公司生產的DIL402PC型的高溫膨脹儀。
4.如權利要求2或3所述一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：高溫膨脹儀測試試樣時溫度范圍為常溫～1600℃。
5.如權利要求4所述一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：所述試樣的大小為φ6×25mm。
6.如權利要求2所述一種應用高溫膨脹儀進行電瓷坯體燒成溫度范圍的測定方法，其特征在于：所述高溫膨脹儀的升溫速率為5k/min。
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