[發(fā)明專利]一種鰭型隧穿晶體管集成電路及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010293306.2
• 申請(qǐng)日: 2010-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN101969061A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 臧松干;劉昕彥;王鵬飛;張衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L29/10;H01L21/786
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種鰭型隧穿晶體管集成電路，其特征在于，該隧穿晶體管集成電路基于絕緣體上的硅襯底，在所述隧穿晶體管中采用鰭型柵結(jié)構(gòu)，并且采用高k介質(zhì)作為柵介質(zhì)，采用低k介質(zhì)做為邊墻材料。

2.一種如權(quán)利要求1所述的鰭型隧穿晶體管集成電路的制造方法，其特征在于具體步驟包括：

提供一個(gè)絕緣體上的硅襯底；

在所述襯底內(nèi)形成具有第一種摻雜類型的摻雜區(qū)；

在所述襯底內(nèi)形成具有第二種摻雜類型的摻雜區(qū)；

刻蝕絕緣體上的硅層形成鰭型結(jié)構(gòu)；

形成第一層絕緣薄膜；

形成第一層導(dǎo)電薄膜；

刻蝕所述第一層導(dǎo)電薄膜形成器件的柵極；

形成第二層絕緣薄膜；

刻蝕所述第二層絕緣薄膜形成柵極側(cè)墻；

刻蝕所述第一層絕緣薄膜；

形成第三層絕緣薄膜；

刻蝕所述第三層絕緣薄膜形成接觸孔；

形成金屬接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第一層絕緣薄膜材料為Ta₂O₅、Pr₂O₃、TiO₂、HfO₂或ZrO₂高介電常數(shù)介質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第二層絕緣薄膜材料為氧化硅、氮化硅或者為有機(jī)絕緣體低介電常數(shù)介質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第三層絕緣薄膜材料為氧化硅、氮化硅或者為他們之間相混合的絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第一層導(dǎo)電薄膜為金屬、合金或者為摻雜的多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為n型；第二種摻雜類型p型。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為p型；第二種摻雜類型n型。