[發(fā)明專(zhuān)利]連接結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010292007.7
• 申請(qǐng)日: 2007-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101997059A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 清水健博;岡庭香;福島直樹(shù)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日立化成工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/02;H01L31/05
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶

1.一種連接方法，其為將太陽(yáng)能電池單元的表面電極和配線部件通過(guò)導(dǎo)電性粘接薄膜進(jìn)行電連接的方法，

所述導(dǎo)電性粘接薄膜含有絕緣性粘接劑和導(dǎo)電性粒子，

所述表面電極的與所述導(dǎo)電性粘接薄膜接觸的面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)定為Rz、最大高度設(shè)定為Ry，

所述導(dǎo)電性粒子的平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大，所述平均粒徑r與所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz的差為1μm以上、Rz以下，且所述導(dǎo)電性粘接薄膜的膜厚t為所述最大高度Ry以上，所述膜厚t與所述最大高度Ry的差為20μm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接方法，其中，所述膜厚t與所述最大高度Ry的差為10μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大1μm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大3μm以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大5μm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大3μm以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大3μm以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大5μm以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r與所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz的差為2/3Rz以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r與所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz的差為2/3Rz以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r與所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz的差為2/3Rz以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r為3～30μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r為3～30μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r為3～30μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r為3～30μm。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述平均粒徑r為8～25μm。

17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接方法，其中，所述配線部件為薄膜狀的導(dǎo)電部件。

18.一種導(dǎo)電性粘接薄膜，其為用于將太陽(yáng)能電池單元的表面電極和配線部件進(jìn)行電連接的導(dǎo)電性粘接薄膜，

含有絕緣性粘接劑和導(dǎo)電性粒子，

所述表面電極的與所述導(dǎo)電性粘接薄膜接觸的面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)定為Rz、最大高度設(shè)定為Ry，

所述導(dǎo)電性粒子的平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大，所述平均粒徑r與所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz的差為1μm以上、Rz以下，且所述導(dǎo)電性粘接薄膜的膜厚t為所述最大高度Ry以上，所述膜厚t與所述最大高度Ry的差為20μm以下。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述膜厚t與所述最大高度Ry的差為10μm以下。

20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大1μm以上。

21.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大3μm以上。

22.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述膜厚t比所述最大高度Ry大5μm以上。

23.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大3μm以上。

24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的導(dǎo)電性粘接薄膜，其中，所述平均粒徑r比所述十點(diǎn)平均粗糙度Rz大3μm以上。