[發明專利]一種SOI襯底和具有SOI襯底的半導體器件及其形成方法

無效

• 申請號: 201010291541.6
• 申請日: 2010-09-25
• 公開（公告）號: CN102412180A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L29/06
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種絕緣體上半導體襯底的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

A.提供第一半導體晶片，所述第一半導體晶片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對；

B.刻蝕所述第一表面，以使第一半導體晶片形成至少兩個平坦區，其中，每個所述平坦區具有均勻的厚度，所述平坦區總共包括至少兩種所述厚度；

C.在所述第一表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述平坦區并形成平坦化的表面；

D.在所述第一絕緣層上鍵合第二半導體晶片。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟D包括：

在所述第二半導體晶片上形成第二絕緣層；

將所述第二絕緣層鍵合于所述第一絕緣層上。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層包括Si₃N₄、SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON和SiON中的任一種或多種的組合。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟D包括：

氧化所述第二半導體晶片以在其表面形成氧化層；

將所述氧化層鍵合于所述第一絕緣層上。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括Si₃N₄、SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON和SiON中的任一種或多種的組合。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在鍵合所述第二半導體晶片之前或者之后，還包括：在所述第一半導體晶片嵌入隔離溝槽。

7.一種在如權利要求1-6任一項所述的絕緣體上半導體襯底上形成半導體器件的方法，其特征在于，包括：在所述第一半導體晶片上形成多個半導體器件，每個所述器件位于單個所述平坦區上。

8.一種在如權利要求1-5任一項所述的絕緣體上半導體襯底上形成半導體器件的方法，其特征在于，包括：

在所述第一半導體晶片上形成一個或多個半導體器件，每個所述器件位于單個所述平坦區上；

在所述第一半導體晶片嵌入隔離溝槽。

9.一種絕緣體上半導體襯底，其特征在于，包括：第一半導體層、第二半導體層和第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層位于所述第一半導體層和第二半導體層之間，并且所述第一半導體層包括至少兩個平坦區，其中，每個所述平坦區具有均勻的厚度，所述平坦區總共包括至少兩種所述厚度。

10.如權利要求9所述的絕緣體上半導體襯底，其特征在于，與所述第一絕緣層和所述第二半導體層之間還夾有第二絕緣層。

11.如權利要求10所述的絕緣體上半導體襯底，其特征在于，所述第二絕緣層包括Si₃N₄、SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON和SiON中的任一種或多種的組合。

12.如權利要求9所述的絕緣體上半導體襯底，其特征在于，所述第一半導體層中形成有隔離溝槽。

13.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括Si₃N₄、SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON和SiON中的任一種或多種的組合。

14.一種形成在如權利要求9-13任一項所述的絕緣體上半導體襯底上的半導體器件結構，其特征在于，包括多個半導體器件，每個所述器件位于單個所述平坦區上。