[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010290650.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102034791A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 南志昌;秋野勝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/525 | 分類號(hào)： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 集成電路 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，該半導(dǎo)體集成電路裝置設(shè)置有：
元件分離絕緣膜，其配置在半導(dǎo)體基板上；
熔斷器元件，其配置在所述元件分離絕緣膜上；
絕緣膜，其配置在所述熔斷器元件上；
第1配線層，其經(jīng)由設(shè)置在所述絕緣膜中的連接孔與所述熔斷器元件連接；以及
第1金屬間絕緣膜、SOG及第2金屬間絕緣膜，其設(shè)置在所述第1配線層與配置在該第1配線層的上方的第2配線層之間，
該半導(dǎo)體集成電路裝置的特征在于，
與相鄰的所述熔斷器元件連接的所述第1配線層之間的間隔寬度小于所述第1金屬間絕緣膜的側(cè)壁厚度的2倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，
在所述第1配線層的側(cè)面具有側(cè)墻，且所述第1金屬間絕緣膜被設(shè)置成覆蓋所述第1配線層和所述側(cè)墻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，
所述側(cè)墻是氧化硅膜或磷硅玻璃膜或氮化硅膜。
4.一種半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，該方法包括以下工序：
在半導(dǎo)體基板上設(shè)置元件分離絕緣膜；
在所述元件分離絕緣膜上設(shè)置熔斷器元件；
在所述熔斷器元件上設(shè)置絕緣膜；
在所述絕緣膜上設(shè)置經(jīng)由連接孔與所述熔斷器元件連接的第1配線層，其中，該第1配線層被設(shè)置成與相鄰的所述熔斷器元件連接的所述第1配線層之間的間隔寬度小于所述絕緣膜的側(cè)壁厚度的2倍；
在所述第1配線層的側(cè)面形成側(cè)墻；
以覆蓋所述第1配線層及所述側(cè)墻的方式，形成所述第1金屬間絕緣膜；
在所述第1配線層與上方的第2配線層之間，設(shè)置第1金屬間絕緣膜、SOG以及第2金屬間絕緣膜；以及
在所述熔斷器元件的上方的保護(hù)膜上形成開口區(qū)域。
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