[發明專利]去除三氯氫硅中硼雜質的方法有效
| 申請號： | 201010288968.0 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN101913610A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發明（設計）人： | 張新;王璜;李強;盧濤;畢有東 | 申請（專利權）人： | 樂山樂電天威硅業科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹橋專利事務所 51124 | 代理人： | 羅麗;武森濤 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 三氯氫硅中硼 雜質 方法 | ||
【權利要求書】：
1.去除三氯氫硅中硼雜質的方法，其特征在于：在三氯氫硅中添加活性炭，混勻、靜置吸附，過濾后即得去除了硼雜質的三氯氫硅。
2.根據權利要求1所述的去除三氯氫硅中硼雜質的方法，其特征在于：活性炭用量為三氯氫硅重量的5～6.7％。
3.根據權利要求1所述的去除三氯氫硅中硼雜質的方法，其特征在于：靜置吸附時間為90～120min。
4.根據權利要求1～3任一項所述的去除三氯氫硅中硼雜質的方法，其特征在于：活性炭直徑為0.2～0.5mm，表面孔徑為1nm～20nm，比表面積為500～2500m2/g。
5.根據權利要求4所述的去除三氯氫硅中硼雜質的方法，其特征在于：活性炭比表面積為2000～2500m2/g。
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