[發(fā)明專利]去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010288968.0 | 申請日: | 2010-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN101913610A | 公開(公告)日: | 2010-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張新;王璜;李強(qiáng);盧濤;畢有東 | 申請(專利權(quán))人: | 樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所 51124 | 代理人: | 羅麗;武森濤 |
| 地址: | 614000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 去除 三氯氫硅中硼 雜質(zhì) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于三氯氫硅的提純技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的方法。
背景技術(shù)
高純?nèi)葰涔璧嚷裙柰橐后w是生產(chǎn)高純光學(xué)材料、高純半導(dǎo)體材料的重要原料。目前對于三氯氫硅的提純過程主要使用多級精餾塔連續(xù)精餾的方式,去除其中的3族雜質(zhì)、5族雜質(zhì)以及金屬雜質(zhì)等,其中屬于3族雜質(zhì)的B雜質(zhì)尤其難以去除。為了降低三氯氫硅中的B雜質(zhì)含量,目前普遍通過增加精餾塔數(shù)量,增加精餾塔塔板層數(shù)等化工精餾方法進(jìn)行處理,該工藝存在如下不足:
所需設(shè)備數(shù)量眾多、體積龐大、價(jià)格昂貴。通過精餾的方式去除三氯氫硅中的B雜質(zhì),需要高達(dá)數(shù)十米的精餾塔、多個換熱器、貯罐、機(jī)泵等設(shè)備。將三氯氫硅中的硼含量從1000ppb降至100ppb的話,所需塔板為50-80塊左右。由于精餾本身是一個熱量交換過程,需要消耗大量蒸汽、冷媒介質(zhì)、電能等。
裝置安裝、運(yùn)行較為復(fù)雜,需要較多維護(hù)。由于采用精餾工藝去除三氯氫硅中的B雜質(zhì)時(shí)所需設(shè)備眾多,故各個設(shè)備安裝、配管等所耗人力、物力也較多,同時(shí)運(yùn)行過程中也需要更多精力投入維護(hù)、巡查。
所需配套設(shè)施較多。采用精餾工藝去除三氯氫硅中的B雜質(zhì)時(shí),需要配套加熱介質(zhì)(如鍋爐產(chǎn)蒸汽)、循環(huán)冷卻水、保護(hù)氣(如氮?dú)?、電力(用于驅(qū)動機(jī)泵運(yùn)轉(zhuǎn))等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的方法,該方法步驟簡單、易操作,成本較低。
所述去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的方法具體為:在三氯氫硅中添加活性炭,混勻、靜置,過濾后即得去除了硼雜質(zhì)的三氯氫硅。
本發(fā)明首次發(fā)現(xiàn)活性炭具有吸附三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附能力,將三氯氫硅和活性炭混合均勻后靜止放置連續(xù)梯度時(shí)間后檢測。結(jié)果顯示隨著時(shí)間的延長,三氯氫硅中B雜質(zhì)含量不斷降低,即活性炭對于三氯氫硅中的B雜質(zhì)有著明顯的吸附去除效果。
優(yōu)選的,活性炭用量為三氯氫硅重量的5~6.7%,去除硼的效果較好。
靜置吸附時(shí)間優(yōu)選為90~120min。
所述活性炭可以采用市售各種類型的活性炭。
進(jìn)一步的,使用瀝青、石油等高分子有機(jī)物提煉制做的微小球狀活性炭去除硼的性質(zhì)較優(yōu)。該種活性炭直徑為0.2~0.5mm,表面具有較多直徑約1nm~20nm的小孔。活性炭顆粒的比表面積為500~2500m2/g,當(dāng)比表面積為2000~2500m2/g時(shí)具備較強(qiáng)的吸附能力。這種活性炭結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定,可以耐高溫高壓。同時(shí),該種活性炭灰分較低,所含金屬雜質(zhì)較少。
本發(fā)明利用活性炭吸附三氯氫硅中硼雜質(zhì)的方法具有如下優(yōu)點(diǎn):
所需設(shè)備較少,不需要其它輔助配套設(shè)施。
本方法可以和精餾方法連用,即利用活性炭對需要精餾去除B雜質(zhì)的氯硅烷進(jìn)行吸附預(yù)處理,吸附90~120min后,再進(jìn)入精餾塔進(jìn)行精餾。可減少精餾塔數(shù)量,節(jié)約設(shè)備投資;降低能耗,減少精餾過程后,可以節(jié)約精餾所需蒸汽、電耗、制冷劑等,降低生產(chǎn)能耗。
附圖說明
圖1是實(shí)施例1-4的檢測結(jié)果圖,1,實(shí)施例1;2,實(shí)施例2;3,實(shí)施例3;4,實(shí)施例4。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
三氯氫硅中硼含量468ppbw,活性炭用量為三氯氫硅重量的5%,混合均勻后靜置,每隔30min取樣檢測,檢測結(jié)果見表1。
所用活性炭由石油提煉而成,直徑為0.2~0.5mm,表面孔徑1nm~20nm,比表面積為1000~2500m2/g。
實(shí)施例2
三氯氫硅中硼含量1104ppbw,活性炭用量為三氯氫硅重量的5.3%,混合均勻后靜置,每隔30min取樣檢測,檢測結(jié)果見表1。
所用活性炭由石油提煉而成,直徑為0.2~0.5mm,表面孔徑1nm~20nm,比表面積為500~1000m2/g。
實(shí)施例3
三氯氫硅中硼含量1328ppbw,活性炭用量為三氯氫硅重量的5.9%,混合均勻后靜置,每隔30min取樣檢測,檢測結(jié)果見表1。
所用活性炭由瀝青提煉而成,直徑為0.2~0.5mm,表面孔徑1nm~20nm,比表面積為1600~2100m2/g。
實(shí)施例4
三氯氫硅中硼含量1057ppbw,活性炭用量為三氯氫硅重量的6.7%,混合均勻后靜置,每隔30min取樣檢測,檢測結(jié)果見表1。
所用活性炭由瀝青提煉而成,直徑為0.2~0.5mm,表面孔徑1nm~20nm,比表面積為2000~2500m2/g。
表1
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