[發明專利]一種微影方法

有效

• 申請號: 201010287801.2
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102147571A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 張世明;林世杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

技術領域

本發明一般是關于微影系統及其方法，且特別是關于一種自滿足校正鄰近效應的微影系統及其方法。

背景技術

半導體集成電路(Integrated?Circuit；IC)產業至今已歷經快速成長。在半導體集成電路制造產業中，隨著制造材料技術的進步，亦產生了數代集成電路產品，每一代產品都比之前產品體積更小，電路更為復雜。在IC演進過程中，其功能密度(即單位元芯片面積(chip?area)上互聯的組件數量)已普遍增加，而幾何尺寸(即最小的組成分(或線))則有所下降。此一縮減尺寸的制程通過提高了IC生產效率并降低相關費用而帶來好處。當然，此一縮減尺寸的制程也增加了制造集成電路的復雜性。而要實現這些進步，芯片加工與制造亦必須跟進發展。

發明內容

本發明提供了許多不同的實施方式，其中的一實施方式提供了一種微影(lithography)方法，包括：在一基板上提供一能量敏感光阻材料(energy?sensitive?resist?material)；提供待刻圖案；及進行微影制程(lithography?process)，其中該微影制程包括將能量敏感光阻材料曝光至一帶電粒子束，以將該待刻圖案移至該能量敏感光阻材料；及將該帶電粒子束由關閉狀態(off?state)變為散焦狀態(defocus?state)，其中該散焦狀態用于補償反向散射能量(backscattered?energy)，從而減小鄰近效應。

本發明的另一實施方式提供了一種微影方法，包括：向一基板提供一能量敏感光阻材料；提供一待刻圖案；及在該基板上進行微影制程，其中該微影制程包括將該能量敏感光阻材料曝光至一帶電粒子束，以使該待刻圖案移至該能量敏感光阻材料；及在微影制程中將該帶電粒子束調整為一個以上的狀態，其中該至少一個狀態可用于補償反向散射能量，從而減小鄰近效應。

本發明又一實施方式提供了又一微影方法，包括在一基板的能量敏感光阻材料上進行微影制程，該微影制程利用一帶電粒子束將一待刻圖案繪于該能量敏感光阻材料上。其中該微影制程包括利用處于開啟狀態(on?state)的帶電粒子束將該待刻圖案繪于該能量敏感光阻材料上，其中該帶電粒子束穿過一主偏流器、一光圈以及一投影鏡系統，該帶電粒子束偏轉至該光圈時，可由開啟狀態切換為關閉狀態，其中該光圈可防止該帶電粒子束落至該基板；以及將該帶電粒子束通過該投影鏡系統，以使該帶電粒子束由關閉狀態切換至散焦狀態。

本發明的微影系統及方法，可透過單次曝光方案補償粒子束的反向散射能量，從而減小鄰近效應。

附圖說明

圖1繪示本發明一實施方式的電子束微影方法流程圖；

圖2A-2D繪示本發明另一實施方式的電子束微影系統簡化示意圖；

圖3A-3F繪示本發明又一實施方式的電子束微影系統簡化示意圖；

圖4A-4B繪示本發明一實施方式中，電子束微影系統的范圍控制光圈簡化示意圖；

圖5A-5D繪示本發明又一實施方式的電子束微影系統簡化示意圖；及

圖6A-6D繪示本發明又一實施方式的電子束微影系統的散射光圈簡化示意圖。

【主要組件符號說明】

100～106：電子束微影方法及其流程

200、300、500：電子束微影系統

202、302、502：(主)偏流器

204、304：光圈

206、208、210、306、308、310、506、508、510：棱鏡

220、320、520：晶片

230、330、430、530：帶電粒子束

232a、232c、232d、332a、332b、332c、332d、332e、332f：帶電粒子束焦點

234a、234c、234d、334a、334b、334c、334d、334e、334f：焦斑(散焦斑)

312、400A、400B、512：范圍控制光圈

410、420：平板

410a、420a：通孔

434a、434b：光斑

440、450：光圈陣列板

440a、440b、440c、450a、450b、450c：重疊通孔

502a：輔偏流器

516、600、610、620、630：散射光圈

604、606、608：材料

624、626、628：厚度

634、636、638：深度

644、646、648：直徑

具體實施方式