[發明專利]一種微影方法

有效

• 申請號: 201010287801.2
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102147571A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 張世明;林世杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種微影方法，其特征在于，包括：

在一基板上提供能量敏感光阻材料；

提供待刻圖案；

在該基板上進行微影制程，其中該微影制程包括：

將該能量敏感光阻材料曝光于一帶電粒子束，以使該待刻圖案移至該能量敏感光阻材料上；及

將該帶電粒子束由關閉狀態切換為散焦狀態，其中該散焦狀態用于補償反向散射能量，從而減小鄰近效應。

2.根據權利要求1所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束由關閉狀態切換為散焦狀態還包括提供一范圍控制光圈，該范圍控制光圈具有一通孔，設置于該帶電粒子束至該能量敏感光阻材料的路徑上。

3.根據權利要求2所述的微影方法，其特征在于，該范圍控制光圈透過調整一可調整區域以調整通孔的尺寸，供該帶電粒子束通過。

4.根據權利要求1所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束由關閉狀態切換為散焦狀態還包括將該帶電粒子束偏轉至一散射光圈，該散射光圈還包括不同材料、厚度、深度和/或直徑。

5.一種微影方法，其特征在于，包括：

在一基板上提供一能量敏感光阻材料；

提供一待刻圖案；

在該基板上進行微影制程，其中該微影制程包括將該能量敏感光阻材料曝光于一帶電粒子束，以將該待刻圖案轉移至該能量敏感光阻材料；及

在該微影制程中，將該帶電粒子束調整為一個以上狀態，其中該一個以上的狀態用于補償反向散射能量，從而減少鄰近效應。

6.根據權利要求5所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束調整為一個以上狀態還包括：將該帶電粒子束調整為一開啟狀態、一正向散焦狀態以及一反向散焦狀態之一者。

7.根據權利要求5所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束調整為一個以上狀態還包括：

將該帶電粒子束調整為開啟狀態，以將該基板的能量敏感層曝光至該待刻圖案；及

將該帶電粒子束調整至散焦狀態，以將該基板的能量敏感層曝光至該待刻圖案的反向域。

8.根據權利要求7所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束調整至散焦狀態，以將該基板的能量敏感層曝光至該待刻圖案的反向域還包括將該帶電粒子束由關閉狀態切換為散焦狀態，該散焦狀態還包括正向散焦狀態及反向散焦狀態。

9.根據權利要求5所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束調整為一個以上狀態，用于補償反向散射能量，從而減少鄰近效應還包括：使帶電粒子束通過一范圍控制光圈。

10.根據權利要求5所述的微影方法，其特征在于，將該帶電粒子束調整為一個以上狀態，用于補償反向散射能量，從而減少鄰近效應還包括：將該帶電粒子束通過一散射光圈，其中該散射光圈包括散射區域及非散射區域。