[發明專利]發光裝置及發光裝置制造方法

無效

• 申請號: 201010287554.6
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN102035138A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 浜口雄一;伴野紀之
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/022
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

相關申請的交叉參考

本申請包含與2009年9月30日向日本專利局提交的日本優先權專利申請JP?2009-228036的公開內容相關的主題，在此將該優先權申請的全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本發明涉及具有多個發光元件的發光裝置以及該發光裝置的制造方法。

背景技術

近年來，在半導體激光器領域中，正在積極地開發在同一基板(或基體)上具有發光波長互不相同的多個發光部的多波長激光器。多波長激光器例如被用作光盤裝置的光源。

在該光盤裝置中，700nm波段的激光束用于再生CD(壓縮光盤)，并且還用于記錄/再生諸如CD-R(可記錄CD)、CD-RW(可擦寫CD)或者MD(小型光盤)等可記錄光盤。600nm波段的激光束用于記錄/再生DVD(數字化多用途光盤)。通過在光盤裝置上安裝多波長激光器，就可以記錄或再生現有的多種光盤中的任何一種。此外，已實現了具有短波長(400nm波段)的激光器，該激光器使用由GaN、AlGaN和GaInN代表的氮化物基III-V族化合物半導體(下文稱作GaN基化合物半導體)，該激光器實際上被用作較高密度光盤的光源。另外，通過將多波長也用在短波長激光器上，可以進一步擴大應用。

通常推薦的是具有這種GaN基激光振蕩器的3波長激光裝置(發光裝置)，它例如通過下面的方法制造而成。具體地，首先，在GaN基板上生長GaN基化合物半導體，以便形成波長在400nm波段的第一發光元件。在同一GaN基板上，通過生長AlGaInP基化合物半導體來提供600nm波段的元件并且還通過生長AlGaAs基化合物半導體來提供700nm波段的元件，由此形成第二發光元件。把第一發光元件和第二發光元件按照此順序重疊地設置在支撐基體上。以此方式，通常就制造出3波長激光裝置。在通常的3波長激光裝置中，第二發光元件中產生的熱量從具有極好導熱性的GaN基板和支撐基體中釋放出去，從而得到高的散熱效率。

這種發光裝置例如通過如下方法予以形成：在支撐基體上安裝第一發光元件，在該支撐基體上形成多個金凸塊，并在這些金凸塊和上述第一發光元件上安裝第二發光元件(參照日本專利公開公報特開2007-234643號)。這些金凸塊具有如下功能：其作為使第二發光元件中產生的熱量釋放出去的散熱器(heat?sink)，還用于從支撐基體側向第二發光元件提供電力。

在該制造過程中，在設置第二發光元件之前，不容易將全部金凸塊的高度調整成同一高度，因此這些金凸塊的高度是有差異的。所以，在金凸塊的高度略大于所需高度的情況下，在設置第二發光元件時金凸塊會被第二發光元件擠壓而發生變形。當金凸塊受到擠壓而發生變形時，意味著在金凸塊中會出現脆弱性(weakness)。這樣導致的問題是：根據脆弱性的程度，就可能出現故障。

發明內容

因此，本發明的目的是期望提供一種能夠解決由于第一發光元件與第二發光元件之間的接合而引起的脆弱性的發光裝置、以及該發光裝置的制造方法。

本發明一個實施例的發光裝置包括：支撐基體，在它的頂面上具有凸部；第一發光元件，它設置在所述頂面中的沒有形成所述凸部的區域內；以及第二發光元件，它設置在所述第一發光元件和所述凸部上。所述發光裝置還包括引出電極以及一個或多個焊盤電極。所述引出電極形成在所述頂面中的沒有形成所述凸部的區域內，并與所述第一發光元件電連接。所述一個或多個焊盤電極中的每一者都具有與所述第二發光元件電連接的第一連接面和與外部導電部件電連接的第二連接面，并且每個所述焊盤電極都形成在所述凸部的頂面上。

本發明另一實施例的發光裝置包括：導電性支撐基體，在它的頂面上具有凸部；第一發光元件，它設置在所述頂面中的沒有形成所述凸部的區域內；以及第二發光元件，它設置在所述第一發光元件和所述凸部上。所述發光裝置還具有引出電極以及一個或多個焊盤電極。所述引出電極形成在所述導電性支撐基體的背面上，并與所述導電性支撐基體電連接。所述一個或多個焊盤電極中的每一者都具有與所述第二發光元件電連接的第一連接面和與外部導電部件電連接的第二連接面，并且每個所述焊盤電極都形成在所述凸部的頂面上。