[發明專利]太陽電池的制造方法

無效

• 申請號: 201010287108.5
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102024876A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 傳田敦;齋藤廣美
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

技術領域

本發明涉及太陽電池的制造方法。

背景技術

太陽電池將光能變換為電能，根據使用的半導體而提出了各種各樣的構成。近年，制造工序簡單且可期待高變換效率的CIGS型的太陽電池受到關注。CIGS型的太陽電池例如包括：基板上形成的第1電極膜；第1電極膜上形成的包括化合物半導體(銅-銦-鎵-硒化合物)層的薄膜；以及在該薄膜上形成的第2電極膜。在去除了薄膜的一部分的槽內形成第2電極膜，使第1電極膜和第2電極膜電連接。(例如，參照專利文獻1)。

【專利文獻1】特開2002-319686號公報

上述的太陽電池中，去除第1電極膜、薄膜及第2電極膜的一部分，按各個單元(cell)而分割形成。該分割處理(劃線處理)中采用激光照射和/或金屬針等。但是，采用上述激光照射和/或金屬針等進行的劃線處理中，難以調整劃線時的強弱，因此，例如在金屬針的按壓較強的場合，有時會損傷下部膜。另一方面，在按壓較弱的場合，膜去除不盡而殘留，成為短路或者高電阻的原因。另外，在要進行劃線的膜的表面部分存在凹凸的場合，按下金屬針等使之觸接時，金屬針不會均等觸接膜表面部，因此，應力集中于凹部或者凸部，從而存在著在膜等中產生裂紋這樣的問題。

發明內容

本發明為了解決上述問題的至少一部分而提出，可以作為以下的形態或應用例實現。

[應用例1]

本應用例的太陽電池的制造方法中，上述太陽電池具備基板、第1電極層、半導體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，包括：第1電極層形成工序，在上述基板上形成上述第1電極層；和第1電極層分割工序，去除上述第1電極層的一部分，將上述第1電極層分割，在上述第1電極層形成工序前具有第1犧牲層形成工序，上述第1犧牲層形成工序中，在與要去除上述第1電極層的一部分的部分對應的上述基板的表面部分形成第1犧牲層，上述第1電極層形成工序中，在上述基板上及上述第1犧牲層上形成上述第1電極層，上述第1電極層分割工序中，去除上述第1犧牲層以及在上述第1犧牲層上所形成的上述第1電極層。

根據該構成，在基板上形成第1犧牲層后，在基板上及第1犧牲層上形成第1電極層。然后，通過去除第1犧牲層以及第1犧牲層上形成的第1電極層，分割第1電極層。即，在要分割第1電極層的部分預先設置第1犧牲層，采用剝離(lift?off)法分割第1電極層。從而，不必像現有技術那樣進行采用激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此在第1電極層分割時，可以降低對第1電極層和/或第1電極層的下層部件的基板等的損傷。

[應用例2]

本應用例的太陽電池的制造方法中，上述太陽電池具備基板、第1電極層、半導體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，包括：第1電極層形成工序，在上述基板上形成上述第1電極層；半導體層形成工序，在上述第1電極層上形成上述半導體層；以及半導體層分割工序，去除上述半導體層的一部分，將上述半導體層分割，在上述半導體層形成工序前具有第2犧牲層形成工序，上述第2犧牲層形成工序中，在與要去除上述半導體層的一部分的部分對應的上述第1電極層的表面部分形成第2犧牲層，上述半導體層形成工序中，在上述第1電極層上及上述第2犧牲層上形成上述半導體層，上述半導體層分割工序中，去除上述第2犧牲層以及在上述第2犧牲層上形成的上述半導體層。

根據該構成，在第1電極層上形成第2犧牲層后，在第1電極層上及第2犧牲層上形成半導體層。然后，通過去除第2犧牲層以及第2犧牲層上形成的半導體層，分割半導體層。即，在要分割半導體層的部分預先設置第2犧牲層，采用剝離法分割半導體層。從而，不必像現有技術那樣進行采用激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此在半導體層分割時，可以降低對半導體層和/或半導體層的下層部件的第1電極層等的損傷。

[應用例3]