[發明專利]太陽電池的制造方法

無效

• 申請號: 201010287108.5
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102024876A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 傳田敦;齋藤廣美
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種太陽電池的制造方法，上述太陽電池具備基板、第1電極層、半導體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，

包括：

在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序；和

去除上述第1電極層的一部分，將上述第1電極層分割的第1電極層分割工序，

在上述第1電極層形成工序之前具有第1犧牲層形成工序，上述第1犧牲層形成工序中，在與要去除上述第1電極層的一部分的部分對應的上述基板的表面部分形成第1犧牲層，

在上述第1電極層形成工序中，在上述基板上及上述第1犧牲層上形成上述第1電極層，

在上述第1電極層分割工序中，去除上述第1犧牲層以及形成于上述第1犧牲層上的上述第1電極層。

2.一種太陽電池的制造方法，上述太陽電池具備基板、第1電極層、半導體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，

包括：

在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序；

在上述第1電極層上形成上述半導體層的半導體層形成工序；以及

去除上述半導體層的一部分，將上述半導體層分割的半導體層分割工序，

在上述半導體層形成工序之前具有第2犧牲層形成工序，上述第2犧牲層形成工序中，在與要去除上述半導體層的一部分的部分對應的上述第1電極層的表面部分形成第2犧牲層，

在上述半導體層形成工序中，在上述第1電極層上及上述第2犧牲層上形成上述半導體層，

在上述半導體層分割工序中，去除上述第2犧牲層以及形成于上述第2犧牲層上的上述半導體層。

3.一種太陽電池的制造方法，上述太陽電池具備基板、第1電極層、半導體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，

包括：

在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序；

在上述第1電極層上形成上述半導體層的半導體層形成工序；

在上述半導體層上形成上述第2電極層的第2電極層形成工序；以及

去除上述第2電極層的一部分，將上述第2電極層分割的第2電極層分割工序，

在上述第2電極層形成工序之前具有第3犧牲層形成工序，上述第3犧牲層形成工序中，在與要去除上述第2電極層的一部分的部分對應的上述第1電極層的表面部分形成第3犧牲層，

在上述第2電極層形成工序中，在上述半導體層上及上述第3犧牲層上形成上述第2電極層，

在上述第2電極層分割工序中，去除上述第3犧牲層以及形成于上述第3犧牲層上的上述第2電極層。

4.如權利要求1～3中任一項所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，

在上述第1～第3犧牲層形成工序中，涂敷成為上述第1～第3犧牲層的材料的負型感光性樹脂，使所涂敷的上述負型感光性樹脂干燥，來形成上述第1～第3犧牲層。

5.如權利要求1～4中任一項所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，

上述第1～第3犧牲層形成工序中，形成厚度比要與上述第1～第3犧牲層一起被去除的上述各層的厚度厚的上述第1～第3犧牲層。