[發明專利]采用TiO2陶瓷靶磁控濺射的膜系玻璃結構及方法

無效

• 申請號: 201010286734.2
• 申請日: 2010-09-19
• 公開（公告）號: CN101935169A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 楊桂祥;岳志峰;趙永進;方志堅
• 申請（專利權）人: 天津耀皮工程玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 王麗

1.一種采用TiO₂陶瓷靶磁控濺射的膜系玻璃結構，其特征在于，該玻璃的膜層結構自玻璃板向外依次為：

玻璃/TiO₂基層/底層電介質層/底銀層/底層阻擋保護層/中間復合電介質層/頂層銀/頂層阻擋保護層/上層電介質層。

2.按權利要求1所述的玻璃結構，其特征在于各膜層的厚度為：

TiO₂基層：膜層厚度為15～25nm；

底層電介質層：膜層厚度為15～20nm；

底層銀：膜層厚度為7～9nm；

底層阻擋保護層：膜層厚度為1～3nm；

中間復合電介質層Sn：膜層厚度為29～33nm；

中間復合電介質層ZnAl：膜層厚度為41～48nm；

頂層銀：膜層厚度為14～17nm；

頂層阻擋保護層：膜層厚度為2～3nm；

上層電介質層：膜層厚度為50～70nm。

3.一種采用TiO₂陶瓷靶磁控濺射的膜系結構玻璃的生產方法，其特征在于步驟如下：

a)基板玻璃清洗、干燥；

b)預真空過渡；

c)鍍陶瓷TiO₂基層；

c)鍍底層電介質層；

d)鍍底層銀；

f)鍍底層阻擋保護層；

g)鍍中間復合電介質層；

f)鍍頂層銀；

i)鍍頂層阻擋保護層；

j)鍍上層電介質層。

4.按權利要求3所述的生產方法，其特征在于所述的鍍陶瓷TiO₂基層是：將陶瓷TiO₂靶在純氬或氬氧氣氛中進行濺射，濺射氣壓范圍2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，脈沖電源頻率為15kHz～25kHz；濺射氬氧混合氣比例為氬∶氧＝90∶10～70∶30。

5.按權利要求3所述的生產方法，其特征在于所述的底層阻擋保護層和頂層阻擋保護層的材料為：鎳或鎳含量超過50％的鎳合金，鈦或含鈦量高于80％的鈦合金。

6.按權利要求3所述的生產方法，其特征在于所述的底層電介質層和中間復合電介質層為金屬氧化物，金屬氧化物的鍍制方法為采用金屬靶材料在氧氣氛圍或氧氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氣壓范圍2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，濺射氧氬混合氣比例為氬∶氧＝20∶80～40∶60。

7.按權利要求3所述的生產方法，其特征在于所述的上層電介質層采用材料為氮化硅，鍍制方法為采用硅靶氮氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氣壓范圍2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，濺射氮氬混合氣比例為氬∶氮＝30∶70～40∶60。

8.按權利要求6所述的生產方法，其特征在于所述的底層電介質層是：ZnAl圓靶在過氧狀態中濺射，Zn∶Al＝90∶10。

9.按權利要求6所述的生產方法，其特征在于所述的中間復合電介質層是：通過交流陰極的錫靶或鋅鋁靶，在氬氧氛圍中濺射，脈沖電源頻率為15kHz～25kHz。

10.按權利要求3所述的生產方法，其特征在于所述的上層電介質層：采用SiAl靶，在氮氬氛圍中濺射硅鋁合金，氬∶氮＝30∶70～40∶60。