[發明專利]一種具有亞微米結構的OLED制造工藝

無效

• 申請號: 201010286694.1
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN101969104A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 王莉;丁玉成;原俊文;羅鈺;何眾贇;鄺俊生
• 申請（專利權）人: 西安交通大學;西安瑞特快速制造工程研究有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

技術領域

本發明屬于OLED制造領域，涉及一種OLED制造工藝，尤其涉及一種具有亞微米結構的OLED制造工藝。?

背景技術

有機電致發光器件OLED在迅速的發展起來，納米制造技術也在逐漸的積累。近幾年，將納米圖形應用在OLED的制作工藝中已做了不少的嘗試。理論上其可以顯著的提高現有OLED的一些性能參數，如出光效率，載流子的復合率等。但是，在OLED器件上制作亞微米結構難度很大，針對OLED的玻璃上的圖形化比較困難，例如采用納米壓印的辦法，必須制作硬模具，但模具精度不能保證，壓印尺寸精度不能保證，脫模又容易損傷微結構。另外為了增加OLED器件的壽命，提高OLED器件的發光性能，現在在OLED的圖形化工藝之后，普遍采用添加緩沖層的方法以使后續制作的ITO電極平整。但是，這樣就大大增加了緩沖層制作的工藝時間，并且減少制作良品率。另外，即使添加了緩沖層，ITO表面也不是絕對平整的，而是有一定的波浪起伏。這種起伏的波浪會產生SPPs表面等離子體激元效應，降低出光率。?

因此，確有必要提供一種具有亞微米結構的OLED制造工藝。?

發明內容

本發明的目的是提供一種具有亞微米結構OLED的制造工藝，以解決模具精度不能保證，壓印尺寸精度不能保證，脫模容易損傷微結構等問題。?

該工藝包括下述步驟：?

(a)制備二氧化硅薄膜：通過磁控濺射在玻璃基片上覆上一層二氧化硅薄膜；?

(b)二氧化硅圖形化：在步驟(a)所述的二氧化硅薄膜上制作納米圖形結構；?

(c)制作OLED結構陽極：在二氧化硅上均勻旋涂一層ITO導電溶膠，使其作為此OLED結構陽極；?

(d)在陽極上依次蒸鍍空穴輸運層，蒸鍍發光層及電子輸運層，最后蒸鍍陰極。?

所述步驟(b)按照如下步驟：?

首先，通過真空蒸鍍的方式，在二氧化硅上覆上一層金屬導電薄膜；然后涂膠，通過旋涂的方法把電子束光刻膠涂敷在金屬導電薄膜表面；其次進行電子束光刻，使光刻膠?圖形化；再次用反應離子將圖形從電子束光刻膠上轉移到金屬膜上，然后用有機溶劑去掉電子束光刻膠；第二次進行反應離子刻蝕，通過刻蝕把金屬膜上的圖形轉移到二氧化硅薄膜上，即得到需要的圖形，從而將納米圖形轉移到二氧化硅薄膜上；最后用PH＝3.5的稀鹽酸溶液去除金屬膜。?

所述步驟(b)進行電子束光刻按照如下步驟：首先通過旋涂的方法把光刻膠涂敷在二氧化硅表面；其次進行直寫干涉光刻方法，使光刻膠圖形化；再次用反應離子刻蝕將圖形從抗蝕膠上轉移到二氧化硅上；即得到需要的圖形，從而將納米圖形轉移到二氧化硅上；最后用有機溶劑去掉光刻膠。?

所述步驟(c)中ITO導電溶膠是：氯化錫和硝酸銦以質量比9∶1溶解在去離子水中形成的溶膠，溶膠中溶質顆粒直徑在5nm左右。?

采用上述的具有亞微米結構OLED的制造工藝，可以較容易制作出適用于OLED器件的高精度的亞微米級結構，解決了OLED在玻璃上圖形化的難題，如采用納米壓印則必須制作硬模具，但模具精度不能保證，壓印尺寸精度不能保證，脫模又容易損傷微結構。而且本工藝采用導電透明ITO薄膜作為OLED結構陽極，由于采用了溶膠旋涂工藝，使得ITO薄膜更好的同二氧化硅上的微納圖形結合，成膜更為均勻。?

目前的工藝在OLED的圖形化工藝之后，普遍采用添加緩沖層的方法以使后續制作的ITO電極平整，但這樣就大大增加了緩沖層制作的工藝時間，此外即使添加了緩沖層，ITO表面也不是絕對平整的，而是有一定的波浪起伏。這種起伏的波浪會產生SPPs表面等離子體激元效應，降低出光率。采用本制造工藝則可以獲得均勻的ITO陽極層，極大地改善上述缺點。?

附圖說明

附圖1為具有利用電子束光刻方法制作高保真納米結構的OLED器件制作流程圖。?

圖1-a為磁控濺射二氧化硅薄膜的工藝圖。?

圖1-b為蒸鍍鋁膜工藝圖。?

圖1-c為電子束光刻膠涂覆工藝圖。?

圖1-d為電子束光刻膠圖形化工藝圖。?

圖1-e為以電子束光刻膠作掩膜刻蝕鋁膜工藝圖。?

圖1-f為用有機溶劑去除電子束光刻膠工藝圖。?

圖1-g為以鋁作掩膜刻蝕二氧化硅薄膜工藝圖。?

圖1-h為用酸溶液去除鋁膜工藝圖。?

圖1-i為旋涂一層ITO溶膠薄膜工藝圖。?

圖1-j為傳統的OLED制備工藝圖。?