[發(fā)明專利]一種具有亞微米結(jié)構(gòu)的OLED制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010286694.1
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN101969104A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王莉;丁玉成;原俊文;羅鈺;何眾贇;鄺俊生
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué);西安瑞特快速制造工程研究有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種具有納米結(jié)構(gòu)的OLED制造工藝，其特征在于，包括下述步驟：

(a)制備二氧化硅薄膜：通過磁控濺射在玻璃基片上覆上一層二氧化硅薄膜；

(b)二氧化硅圖形化：在步驟(a)所述的二氧化硅薄膜上制作納米圖形結(jié)構(gòu)；

(c)制作OLED結(jié)構(gòu)陽極：在二氧化硅上均勻旋涂一層ITO導(dǎo)電溶膠，使其作為此OLED結(jié)構(gòu)陽極；

(d)在陽極上依次蒸鍍空穴輸運(yùn)層，蒸鍍發(fā)光層及電子輸運(yùn)層，最后蒸鍍陰極。

2.如權(quán)利要求1所述一種具有納米結(jié)構(gòu)的OLED制造工藝，其特征在于，所述步驟(b)按照如下步驟：

首先，通過真空蒸鍍的方式，在二氧化硅上覆上一層金屬導(dǎo)電薄膜；然后涂膠，通過旋涂的方法把電子束光刻膠涂敷在金屬導(dǎo)電薄膜表面；其次進(jìn)行電子束光刻，使光刻膠圖形化；再次用反應(yīng)離子將圖形從電子束光刻膠上轉(zhuǎn)移到金屬膜上，然后用有機(jī)溶劑去掉電子束光刻膠；第二次進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，通過刻蝕把金屬膜上的圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅薄膜上，即得到需要的圖形，從而將納米圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅薄膜上；最后用PH＝3.5的稀鹽酸溶液去除金屬膜。

3.如權(quán)利要求2所述一種具有納米結(jié)構(gòu)的OLED制造工藝，其特征在于，所述步驟(b)進(jìn)行電子束光刻按照如下步驟：首先通過旋涂的方法把光刻膠涂敷在二氧化硅表面；其次進(jìn)行直寫干涉光刻方法，使光刻膠圖形化；再次用反應(yīng)離子刻蝕將圖形從抗蝕膠上轉(zhuǎn)移到二氧化硅上；即得到需要的圖形，從而將納米圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅上；最后用有機(jī)溶劑去掉光刻膠。

4.如權(quán)利要求1所述一種具有納米結(jié)構(gòu)的OLED制造工藝，其特征在于，所述步驟(c)中ITO導(dǎo)電溶膠是：氯化錫和硝酸銦以質(zhì)量比9∶1溶解在去離子水中形成的溶膠，溶膠中溶質(zhì)顆粒直徑在5nm左右。