[發明專利]臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法有效
| 申請號： | 201010285697.3 | 申請日： | 2010-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102403227A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發明（設計）人： | 李鳳蓮 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臺階 狀硅鍺源 結構 制造 方法 | ||
1.一種臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，包括：
提供硅襯底，所述硅襯底上形成有柵極結構、位于柵極結構兩側的第一間隙壁、以及位于第一間隙壁兩側的第二間隙壁；
執行多次離子注入工藝，所述多次離子注入工藝的注入方向及注入深度各不相同，以在第二間隙壁兩側的硅襯底中形成第一非晶態區域，并在第二間隙壁下方的硅襯底中形成至少一個第二非晶態區域；
去除所述第二間隙壁；
去除所述第一非晶態區域和第二非晶態區域，以形成臺階狀凹陷部；
在所述臺階狀凹陷部內形成摻雜的臺階狀硅鍺源/漏結構。
2.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝的次數為兩次，其中，第一次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為直角，第二次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為銳角，第一次離子注入工藝的注入深度大于第二次離子注入工藝的注入深度。
3.如權利要求2所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為30度～60度。
4.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝的次數為兩次，其中，第一次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為銳角，第二次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為直角，第一次離子注入工藝的注入深度小于第二次離子注入工藝的注入深度。
5.如權利要求4所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一次離子注入工藝的注入方向與硅襯底表面的夾角為30度～60度。
6.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝的次數大于兩次，以在第二間隙壁兩側的硅襯底中形成一個第一非晶態區域，并在第二間隙壁下方的硅襯底中形成多個第二非晶態區域。
7.如權利要求2或4或6所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝注入的離子為硅離子、鍺離子或氬離子。
8.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一非晶態區域和第二非晶態區域是利用干法刻蝕工藝去除的。
9.如權利要求8所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝所使用的刻蝕氣體為溴化氫、氧氣以及氯氣的混合氣體。
10.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一非晶態區域和第二非晶態區域是利用濕法刻蝕工藝去除的。
11.如權利要求10所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝所使用的刻蝕液體為pH值大于10的堿性液體。
12.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一間隙壁的材質為氧化硅、氮化硅中的一種或其組合。
13.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二間隙壁的材質為氧化硅、氮化硅或無定形碳中的一種或其組合。
14.如權利要求13所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二間隙壁是利用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝去除的。
15.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵極介電層以及覆蓋所述柵極介電層的柵極電極。
16.如權利要求15所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括還包括覆蓋所述柵極電極的蓋層。
17.如權利要求16所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述蓋層的材質為氧化硅、氮化硅中的一種或其組合。
18.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述摻雜的臺階狀硅鍺源/漏結構是利用外延生長原位摻雜工藝形成的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
