[發明專利]氫氧化鎂六方晶體制備方法無效
| 申請號： | 201010284921.7 | 申請日： | 2010-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN101935058A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 曹林洪;智順華;王寧會 | 申請（專利權）人： | 西南科技大學 |
| 主分類號： | C01F5/22 | 分類號： | C01F5/22 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務所 51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 621010 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氫氧化鎂 晶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.氫氧化鎂六方晶體制備方法，其特征在于，包括下述步驟：
1)將硝酸鎂置于氫氧化鈉和氫氧化鉀混合物中，氫氧化鈉和氫氧化鉀的質量比為25％∶75％～48.5％∶51.5％，硝酸鎂與氫氧根的摩爾比為1∶262～2∶262；
2)升溫至160～200℃，使氫氧化鈉和氫氧化鉀成為熔融的液態，保持溫度，在此條件下制備氫氧化鎂晶體，生長時間為12～24小時；
3)將生長好的晶體及其生長介質溶解、過濾、干燥，獲得了形狀規則的氫氧化鎂六方晶體。
2.如權利要求1所述的氫氧化鎂六方晶體制備方法，其特征在于，步驟2)中，升溫在聚四氟乙烯容器中進行。
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