[發明專利]半導體封裝體工藝

有效

• 申請號: 201010284368.7
• 申請日: 2010-09-10
• 公開（公告）號: CN102024713A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 邱文智;吳文進;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體封裝工藝，包括：

提供一晶片，該晶片具有相對的第一表面及第二表面；

利用一粘著層將該晶片的第一表面貼附至一載板而暴露出鄰近該晶片一邊緣的部分該粘著層；

自該第二表面薄化該晶片，以形成一薄化晶片；

形成一保護層以覆蓋該粘著層的該暴露部分；

接合多個裸片在該薄化晶片上；以及

利用一成型化合物封裝該薄化晶片及所述多個裸片。

2.如權利要求1所述的半導體封裝工藝，其中該保護層覆蓋該晶片邊緣。

3.如權利要求1所述的半導體封裝工藝，其中該保護層覆蓋鄰近該晶片邊緣的部分載板。

4.如權利要求1所述的半導體封裝工藝，其中該保護層覆蓋至少一部分該晶片的第二表面。

5.如權利要求1所述的半導體封裝工藝，其中該保護層包括氧化膜、氮化膜、碳化膜、干膜、旋涂材料膜或前述的組合。

6.如權利要求1所述的半導體封裝工藝，其中該晶片包括：

一半導體基板，具有一正面及一背面；

一穿孔，填充有一導電材料，其至少通過一部分該半導體基板；以及

一集成電路，形成在該半導體基板的正面上。

7.如權利要求6所述的半導體封裝工藝，其中該晶片進行薄化后，該半導體基板的背面上暴露出該穿孔的一端。

8.如權利要求6所述的半導體封裝工藝，其中該晶片進行薄化后，在該半導體基板的背面上形成該保護層。

9.如權利要求7所述的半導體封裝工藝，還包括在該薄化晶片上接合所述多個裸片之前，在該穿孔的該暴露端形成一導電結構。

10.如權利要求9所述的半導體封裝工藝，其中該導電結構包括一重分布層。