[發明專利]發光裝置的制造方法及發光裝置

無效

• 申請號: 201010282835.2
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN102270708A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 秋元陽介;外川隆一;小島章弘;豬塚幸;杉崎吉昭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/44
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 許玉順;胡建新

本發明基于2010年6月3日提交的日本專利申請(申請號：2010-127506號)，主張該在先專利申請的優先權，該在先專利申請的全部內容都包含于本申請的文件中。

技術領域

本發明涉及發光裝置的制造方法及發光裝置。

背景技術

發光裝置的用途正在向照明裝置、圖像顯示裝置的背光源以及顯示裝置等擴大。

近年來，發光裝置的小型化要求逐漸加強。此外，為了提高批量生產性能，考慮如下的制造方法：使包含發光層的半導體層在基板上結晶成長，通過照射激光，從半導體層剝離基板，并分割為多個。

但是，在通過照射激光來從半導體層剝離基板的情況下，該激光還進入到覆蓋半導體層的絕緣膜內，通過激光的能量，半導體層的側面和/或電極被加熱。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠維持發光裝置的發光特性，并能夠抑制可靠性的降低的發光裝置以及制造方法。

本發明的發光裝置的制造方法包括：在基板的第一主面上形成包含發光層的半導體層的工序；將上述半導體層的至少上表面和側面用第一絕緣膜覆蓋的工序；形成與上述半導體層導通的第一電極部和第二電極部的工序；用第二絕緣膜覆蓋上述第一絕緣膜的工序；以及從上述基板的與上述第一主面相反一側的第二主面一側，向上述半導體層照射激光，從而從上述半導體層剝離上述基板的工序，上述第二絕緣膜的帶隙能量和上述半導體層的帶隙能量比上述激光的能量小，在上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分，上述激光不到達上述發光層的深度。

本發明的發光裝置具備：半導體層，包含發光層，并將基板作為支撐體來形成該半導體層，在形成后，通過照射激光來剝離了上述基板；第一電極部和第二電極部，設在上述半導體層的與被照射上述激光的第一主面相反一側的第二主面上；第一絕緣膜，覆蓋上述半導體層的至少側面；以及第二絕緣膜，覆蓋上述第一絕緣膜，上述第二絕緣膜及上述半導體層具有比上述激光的能量小的帶隙能量，上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分抑制上述激光的前進，以使得上述激光不會從上述半導體層的上述第一主面側到達上述側面的上述發光層的深度。

通過上述的技術方案，抑制了激光侵入半導體層中的發光層，從而防止了半導體層中的發光層的劣化。由此，能夠維持穩定的發光特性。此外，在半導體層的側面和第一絕緣膜之間的界面，能夠防止第一絕緣膜剝離。進而，對于與半導體層的側面的第一絕緣膜接觸的第二絕緣膜，能夠抑制因激光的照射而引起的溶解等。由此，能夠抑制可靠性的降低。

附圖說明

圖1是第一實施方式的覆蓋制造的制造方法的流程圖。

圖2是晶片狀態下的實施方式的覆蓋裝置的制造方法的示意平面圖。

圖3～圖8是第一實施方式的覆蓋制造的制造方法的示意截面圖。

圖9～圖10是第一實施方式的發光裝置的制造方法的其他例的示意截面圖。

圖11～圖13是第二實施方式的發光裝置的制造方法的示意截面圖。

圖14～圖16是第三實施方式的發光裝置的制造方法的示意截面圖。

圖17是第四實施方式的發光裝置的示意截面圖。

圖18是圖17的主要部分的放大截面圖。

圖19是第五實施方式的發光裝置的示意截面圖。

圖20是第六實施方式的發光裝置的示意截面圖。

圖21是第七實施方式的發光裝置的示意截面圖。

具體實施方式

本實施方式的發光裝置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含發光層的半導體層的工序；將上述半導體層的至少上表面和側面用第一絕緣膜覆蓋的工序；形成與上述半導體層導通的第一電極部和第二電極部的工序；用第二絕緣膜覆蓋上述第一絕緣膜的工序；以及從與上述基板的上述第一主面相反側的第二主面的一側向上述半導體層照射激光，從而從上述半導體層剝離上述基板的工序。上述第二絕緣膜的帶隙能量和上述半導體層的帶隙能量比上述激光的能量小。此外，在上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分，上述激光不到達上述發光層的深度。