[發明專利]發光裝置的制造方法及發光裝置

無效

• 申請號: 201010282835.2
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN102270708A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 秋元陽介;外川隆一;小島章弘;豬塚幸;杉崎吉昭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/44
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 許玉順;胡建新

1.一種發光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的第一主面上形成包含發光層的半導體層的工序；

將上述半導體層的至少上表面和側面用第一絕緣膜覆蓋的工序；

形成與上述半導體層導通的第一電極部和第二電極部的工序；

用第二絕緣膜覆蓋上述第一絕緣膜的工序；以及

從上述基板的與上述第一主面相反一側的第二主面一側，向上述半導體層照射激光，從而從上述半導體層剝離上述基板的工序，

上述第二絕緣膜的帶隙能量和上述半導體層的帶隙能量比上述激光的能量小，

在上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分，上述激光不到達上述發光層的深度。

2.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

對于上述第一絕緣膜中的覆蓋上述側面的上述第一絕緣膜中的、從上述第一主面到上述發光層之間的至少一部分，該一部分的沿著垂直于上述側面的方向上的厚度形成為小于上述激光的波長。

3.根據權利要求2所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述激光的波長為248nm，上述第一絕緣膜的上述一部分的厚度小于248nm。

4.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一絕緣膜含有氧化硅。

5.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一絕緣膜的帶隙能量小于上述激光的能量。

6.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一絕緣膜含有氮化硅。

7.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分到達上述基板的第一主面。

8.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

上述第二絕緣膜及上述半導體層吸收上述激光。

9.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

在形成了上述第一絕緣膜后且照射上述激光之前，除去與上述基板接觸的上述第一絕緣膜的部分。

10.一種發光裝置，其特征在于，具備：

半導體層，包含發光層，并將基板作為支撐體來形成該半導體層，在形成后，通過照射激光來剝離了上述基板；

第一電極部和第二電極部，設在上述半導體層的與被照射上述激光的第一主面相反一側的第二主面上；

第一絕緣膜，覆蓋上述半導體層的至少側面；以及

第二絕緣膜，覆蓋上述第一絕緣膜，

上述第二絕緣膜及上述半導體層具有比上述激光的能量小的帶隙能量，

上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的上述側面的部分抑制上述激光的前進，以使得上述激光不會從上述半導體層的上述第一主面側到達上述側面的上述發光層的深度。

11.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

在上述第一絕緣膜中的覆蓋上述側面的部分中，從上述第一主面到上述發光層之間的至少一部分的沿著垂直于上述側面的方向上的厚度形成為小于上述激光的波長。

12.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜的上述一部分的厚度小于248nm。

13.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜含有氧化硅。

14.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜的材料是帶隙能量小于上述激光的能量的材料。

15.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜含有氮化硅。

16.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜中的覆蓋上述半導體層的側面的部分到達上述半導體層的第一主面。

17.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，

上述第二絕緣膜及上述半導體層的材料是吸收上述激光的材料。