[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010282806.6
• 申請(qǐng)日: 2010-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN102024836A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳昭興;許育賓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種發(fā)光元件，包含：

基板；

多個(gè)整流單元，包含第一整流單元及第二整流單元，且形成在該基板上以接收交流信號(hào)并調(diào)整為直流信號(hào)，其中任一個(gè)整流單元，包含接觸層及肖特基金屬層；

多個(gè)發(fā)光二極管，接收該直流信號(hào)；及

第一電極，提供在該基板上且覆蓋該第一整流元件的該接觸層和該第二整流元件的該肖特基金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含半導(dǎo)體導(dǎo)電層，形成在該基板上；

其中，在每一個(gè)該整流單元中，該半導(dǎo)體導(dǎo)電層在該接觸層下方形成歐姆區(qū)域以及在該肖特基金屬層下方形成肖特基區(qū)域。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其中，在每一個(gè)該整流單元中，該金屬半導(dǎo)體層的功函數(shù)大于該接觸層的功函數(shù)，且小于該肖特基金屬層的功函數(shù)。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含絕緣層，形成在該第一整流單元的該接觸層與該第二整流單元的肖特基金屬層之間。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含第二電極；其中，該多個(gè)整流元件還包含第三整流元件和第四整流元件，

其中，每一個(gè)該整流單元中，包含接觸層及肖特基金屬層，以及

其中，該第二電極覆蓋該第三整流元件的該肖特基金屬層和該第四整流元件的該接觸層。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，還包含絕緣層，形成在該第三整流單元的該肖特基金屬層與該第四整流單元的接觸層之間。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，還包含第一連接層，電性連接該第一整流單元的該肖特基金屬層與第四整流單元的該肖特基金屬層；及

第二連接層，電性連接該第二整流單元的該接觸層與第三整流單元的該接觸層。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，還包含絕緣層，形成在該第一連接層與該第一及該第四整流單元之間。

9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，還包含半導(dǎo)體導(dǎo)電層，形成在該基板上；

其中，在每一個(gè)該整流單元中，該半導(dǎo)體導(dǎo)電層在該接觸層下方形成歐姆區(qū)域以及在該肖特基金屬層下方形成肖特基區(qū)域。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其中，在每一個(gè)該整流單元中，該金屬半導(dǎo)體層的功函數(shù)大于該接觸層的功函數(shù)，且小于該肖特基金屬層的功函數(shù)。