[發明專利]增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法

有效

• 申請號: 201010282675.1
• 申請日: 2010-09-16
• 公開（公告）號: CN101976680A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 譚開洲;張靜;張正璠
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/761;H01L21/306;H01L21/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，包括：

半導體襯底1，半導體2，埋層3，隔離深槽擴散區4，隔離深槽填充多晶5，穿透深槽擴散區6，穿透深槽填充多晶7，介質層8，隔離深槽金屬接觸擴散層9，穿透深槽金屬接觸擴散層10，金屬層11，

其中，半導體襯底1與半導體2是相反導電類型半導體材料，埋層3導電類型與半導體2相同，且埋層3雜質濃度大于半導體2的雜質濃度；隔離深槽擴散區4導電類型與半導體襯底1相同，隔離深槽擴散區4雜質濃度大于半導體襯底1，也大于半導體2雜質濃度；穿透深槽擴散區6導電類型與半導體2相同，也與埋層3相同，穿透深槽擴散區6雜質濃度大于半導體2雜質濃度；隔離深槽金屬接觸擴散層9導電類型與隔離深槽擴散區4相同，穿透深槽金屬接觸擴散層10導電類型與穿透深槽擴散區6相同。

2.根據權利要求1所述的增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，其特征在于：所述隔離深槽擴散區4與穿透深槽擴散區6是相反導電類型擴散區，不用同一次深槽刻蝕過程和擴散來形成；擴散區4和擴散區6分別形成，可以先刻蝕隔離深槽后再進行擴散區4擴散，然后再刻蝕穿透深槽后再形成擴散區6；或者先刻蝕穿透深槽后再進行擴散區6擴散，然后再刻蝕隔離深槽后再形成擴散區4；無論擴散區4還是擴散區6，只進行雜質預擴散，不單獨進行雜質再擴散。

3.根據權利要求1所述的增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，其特征在于：所述隔離深槽擴散區4雜質濃度面密度要求大于2×10¹²cm^-2。

4.根據權利要求1所述的增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，其特征在于：所述隔離深槽或者穿透深槽擴散后采用不摻雜多晶5或7將深槽填充。

5.根據權利要求1所述的增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，其特征在于：所述隔離深槽擴散區4和穿透深槽擴散區6表面進行相應雜質類型高濃度的雜質擴散，分別形成雜質擴散區9和10，以便進行良好的金屬化歐姆接觸，對隔離深槽擴散區4或穿透深槽擴散區6有良好的電壓鉗位，或者所述金屬接觸擴散層9和10在深槽擴散區4和6濃度足夠形成金屬歐姆接觸以及此處金屬接觸孔能夠被深槽擴散區4和6完全包含情況下可以省略。

6.根據權利要求1所述的增加高壓集成電路器件集成密度的半導體結構及制造方法，其特征在于：所述隔離深槽擴散區4要求與半導體襯底1相連接，穿透深槽擴散區6與埋層3相連接。