[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010281700.4 | 申請日: | 2010-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN102024734A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 廣木勤 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體晶片、液晶用基板、有機EL元件等基板實施真空處理的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術(shù)
在制造半導(dǎo)體器件、FPD(Flat?Panel?Display;平板顯示器)時,對半導(dǎo)體晶片(以下,簡稱為“晶片”)、液晶用基板等實施成膜、蝕刻、氧化、擴散等各種處理。為了以高生產(chǎn)率(high?through-put)進行這些處理,使用稱作多室系統(tǒng)的基板處理裝置。
作為這種基板處理裝置的一個例子,如圖9所示,公知有以下裝置,該裝置包括:前開式統(tǒng)集盒載置臺1,其用于載置前開式統(tǒng)集盒(FrontOpening?Unified?Pod),該前開式統(tǒng)集盒是收納多個晶片的搬運容器;傳送組件(Transfer?Module:TM)2,其具有搬運晶片W的搬運臂5,并處于真空氣氛中;多個工藝組件(Process?Module:PM)3,配置在該傳送組件2的周圍,并在真空氣氛下對晶片W施加預(yù)定的處理;裝載組件(Loader?Module:LM)4,其具有主搬運單元,并處于常壓氣氛中,該主搬運單元具有搬運晶片W的搬運臂;兩個裝載鎖定組件(Load?LockModule:LLM)6a、6b,配置在裝載組件4和傳送組件2之間,并能夠在真空氣氛與常壓氣氛之間進行切換;以及未圖示的定向器(ORT),其被設(shè)置成與裝載組件4相鄰,并預(yù)調(diào)準(zhǔn)晶片W的方向。
該基板處理裝置中的晶片的搬運路徑例如如下:載置在前開式統(tǒng)集盒載置臺1上的未處理的晶片W被按照LM4→ORT→LLM6a→TM2→PM3這一順序搬運。然后,通過工藝組件3在預(yù)定的處理氣體氣氛下例如施加蝕刻處理之后,處理完的晶片W被按照TM2→LLM6b→LM4→前開式統(tǒng)集盒載置臺1這一順序搬運。
近年來,根據(jù)所使用的處理氣體的種類,有時會發(fā)生以下問題:處理完的晶片W當(dāng)返回到裝載組件4時與空氣中的水分發(fā)生反應(yīng),向其周邊釋放出腐蝕性氣體。另外,由于生成腐蝕性氣體的反應(yīng)會持續(xù)一定時間,還會發(fā)生在返回來的前開式統(tǒng)集盒內(nèi)腐蝕性氣體污染未處理的晶片的問題。舉出一個例子,在工藝組件3中,有時例如對HBr氣體、CI2氣體等處理氣體進行等離子化,對形成在晶片W上的多晶硅膜進行蝕刻。在此情況下,蝕刻處理帶來的生成物(溴化硅、氯化硅等)殘留在晶片W上。近年來,晶片W的設(shè)計規(guī)則變得更細(xì)化,圖案的線寬也正變窄,因此副生成物容易殘留在晶片W上所形成的構(gòu)造之間等處。一旦將該晶片W運入處于常壓氣氛的裝載組件4內(nèi),則溴化硅、氯化硅等與大氣中的水分反應(yīng)而生成溴化氫、氯化氫等腐蝕性氣體并擴散,或者這些腐蝕性氣體再與大氣中存在微量的氨氣反應(yīng)而生成溴化銨、氯化銨等微粒子,而在裝載組件4內(nèi)擴散。
為了解決上述的問題,如圖9所示,在基板處理裝置上安裝清潔貯存器7,該清潔貯存器7在常壓氣氛下臨時保管處理完的晶片。由于可通過清潔貯存器7來清除處理完的晶片W由于與大氣反應(yīng)而生成的腐蝕性氣體,因此能夠防止從返回到前開式統(tǒng)集盒內(nèi)的晶片釋放出腐蝕性氣體。
但是,當(dāng)從裝載鎖定組件6b向清潔貯存器7搬運處理完的晶片W時,晶片W會通過裝載組件4。裝載組件4是在常壓氣氛下搬運晶片W的房間,因此晶片W進入裝載組件4的瞬間就有可能從晶片4釋放出腐蝕性氣體。結(jié)果,裝載組件4的金屬部分例如搬運室的壁部、搬運單元等會被腐蝕,其腐蝕部分例如通過機械運動被摩擦并引起金屬污染。為了防止該情況,對裝載組件4實施加強排氣、搬運室壁部的表面處理(TEFLON(注冊商標(biāo))鍍覆、氧化鋁膜加工等)、耐蝕材料的選擇等大規(guī)模的防腐蝕對策。
該大規(guī)模的防腐蝕對策導(dǎo)致裝載組件的成本上升。在對近年來的基板處理裝置要求低成本、可靠性高、加強安全、降低保養(yǎng)費等的情況下,對于裝載組件,希望能夠取消或減輕防腐蝕對策。為了降低腐蝕性氣體對裝載組件的影響,專利文獻1公開了一種基板處理裝置,其中,鄰接裝載鎖定組件配置清潔貯存器,并通過裝載組件的主搬運單元從裝載鎖定組件向清潔貯存器搬運處理完的基板。
(現(xiàn)有技術(shù)文獻)
專利文獻1:日本專利文獻特開2008-53550號公報。
發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明所要解決的問題)
但是,對于專利文獻1中公開的基板處理裝置來說,主搬運單元的一部分(例如,搬運晶片的搬運臂單元)與腐蝕性氣體接觸,在清潔貯存器中產(chǎn)生的腐蝕性氣體可能會流入裝載組件內(nèi),因此不能說是周全的防腐蝕對策。并且,由配置在裝載組件上的一個主搬運單元承擔(dān)從裝載鎖定組件向清潔貯存器搬運晶片的作業(yè)、以及將晶片從清潔貯存器送回前開式統(tǒng)集盒載置臺的作業(yè),因此還存在生產(chǎn)率下降的問題。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





