[發明專利]利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法

有效

• 申請號: 201010280598.6
• 申請日: 2010-09-10
• 公開（公告）號: CN102214564A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 葉明熙;徐帆毅;林舜武;歐陽暉;楊棋銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅;鄭焱

1.一種利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，至少包含：

提供一基材；

形成一閘極電極層于該基材上；

對該閘極電極層進行一處理，以將一物種導入至該閘極電極層內，并于該閘極電極層內或該閘極電極層的一上部形成一電性中和區；

形成一硬罩幕層于經處理的該閘極電極層；以及

圖案化該硬罩幕層、經處理的該閘極電極層以及該閘極電極層。

2.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該硬罩幕層為氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該硬罩幕層的厚度為小于或等于800埃。

4.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該閘極電極層為復晶硅層。

5.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該物種的化學價數為5。

6.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該物種為砷、磷、氮或上述任意組合的至少一者。

7.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該處理為熱擴散處理、離子植入處理、電漿處理、紫外光處理、電子束處理或上述任意組合的至少一者。

8.根據權利要求7所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該處理為該離子植入處理，且該離子植入處理為以小于或等于5千電子伏特的能量進行。

9.根據權利要求8所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，該離子植入處理為以大于10¹⁴原子/平方厘米的劑量進行。

10.根據權利要求1所述的利用經處理的硬罩幕制造半導體元件的閘極電極的方法，其特征在于，還至少包含利用25度至30度的一傾斜角進行一離子植入步驟，以形成一淺摻雜汲極區于該基材中。