[發(fā)明專利]顯示器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010280228.2
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN102024842A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔鐘炫;盧智龍;任章淳;李大宇
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施例涉及一種顯示器。更具體地說，實(shí)施例涉及一種具有氧化物半導(dǎo)體層的OLED顯示器。

背景技術(shù)

OLED顯示器是通過使用發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光元件來顯示圖像的自發(fā)射型顯示裝置。與液晶顯示器(LCD)不同，OLED顯示器不需要單獨(dú)的光源，因而OLED顯示器更薄且更輕。另外，由于OLED顯示器具有諸如低功耗、高亮度、快響應(yīng)速度之類的高質(zhì)量特性，因此OLED顯示器作為例如移動(dòng)電子設(shè)備的下一代顯示裝置正受到諸多關(guān)注。

OLED顯示器可以包括氧化物薄膜晶體管(TFT)，即具有氧化物半導(dǎo)體的TFT。然而，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體內(nèi)氧的缺乏增加了載流子的供給，所以氧化物半導(dǎo)體可以具有高的載流子密度。因此，氧化物半導(dǎo)體的電學(xué)特性可能是不穩(wěn)定的。

在此背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)所描述技術(shù)的背景的理解，因此，上述信息可以包含并不構(gòu)成在本國對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例致力于一種具有氧化物半導(dǎo)體層的顯示器，這種顯示器基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的問題中的一個(gè)或多個(gè)問題。

因此，實(shí)施例的一個(gè)特征在于提供一種具有氧化物半導(dǎo)體層的顯示器，其中所述氧化物半導(dǎo)體層覆蓋有用于穩(wěn)定地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層的保護(hù)膜。

因此，實(shí)施例的另一特征在于提供一種制造在氧化半導(dǎo)體層上具有保護(hù)膜的顯示器的方法。

上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可以通過提供一種顯示器實(shí)現(xiàn)，所述顯示器包括基板主體和形成在所述基板主體上的TFT。所述TFT可以具有氧化物半導(dǎo)體層和金屬氧化物膜順次堆疊的結(jié)構(gòu)。

所述TFT可以進(jìn)一步包括柵極以及分別與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸并且被布置為隔開的源極和漏極。所述氧化物半導(dǎo)體層可以與所述柵極絕緣。所述金屬氧化物膜可以形成在所述氧化物半導(dǎo)體層上并且具有暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)開口。所述源極和所述漏極可以通過所述開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸。所述氧化物半導(dǎo)體層的長度和所述金屬氧化物膜的長度可以基本相同，并且所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜彼此重疊，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜的長度都沿著所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜的各自的最外面邊緣之間的第一方向測得。

上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可以通過提供一種顯示器實(shí)現(xiàn)，所述顯示器包括：基板主體；形成在所述基板主體上的柵極；形成在所述柵極上的柵絕緣層；形成在所述柵極上的氧化物半導(dǎo)體層，所述柵絕緣層介于所述氧化物半導(dǎo)體層與所述柵極之間；直接形成在所述氧化物半導(dǎo)體層上并且具有暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)開口的金屬氧化物膜；以及通過所述金屬氧化物膜的所述開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸并且被布置為隔開的源極和漏極。

所述顯示器可以進(jìn)一步包括形成在所述金屬氧化物膜與所述源極和漏極之間的層間絕緣層。所述層間絕緣層可以具有與所述金屬氧化物膜的開口一起暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)接觸孔。

在所述顯示器中，除了所述多個(gè)開口外，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜可以具有相同的圖案。所述氧化物半導(dǎo)體層的長度可以被限定在其兩個(gè)第一最外面邊緣之間，并且所述金屬氧化物膜的長度可以被限定在其兩個(gè)第二最外面邊緣之間，所述氧化物半導(dǎo)體層的長度和所述金屬氧化物膜的長度基本相同，并且第一最外面邊緣與相應(yīng)的第二最外面邊緣對(duì)準(zhǔn)。所述金屬氧化物膜的部分以及所述金屬氧化物膜的開口中所述源極和漏極的部分可以被布置為與所述氧化物半導(dǎo)體層完全重疊。

所述氧化物半導(dǎo)體層可以包含鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)中的一種或多種以及氧(O)。

所述金屬氧化物膜可以由鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的金屬之一或者包括所述金屬中的一種或多種的合金制成。所述金屬氧化物膜可以具有從到范圍的平均厚度。所述金屬氧化物膜可以通過對(duì)金屬膜進(jìn)行加熱或者通過等離子體氧化而形成。

上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可以通過提供一種制造顯示器的方法實(shí)現(xiàn)，所述方法包括：在基板主體上形成柵極；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上順次堆疊氧化物半導(dǎo)體層和金屬膜；氧化所述金屬膜以產(chǎn)生金屬氧化物膜；圖案化所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜，使得它們具有相同的形狀；去除所述金屬氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)開口；以及形成源極和漏極使得所述源極和漏極通過所述金屬氧化物膜的所述開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸并且被布置為隔開。