[發(fā)明專利]顯示器及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010280228.2
• 申請(qǐng)日: 2010-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN102024842A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔鐘炫;盧智龍;任章淳;李大宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強(qiáng)

1.一種顯示器，包括：

基板主體；

位于所述基板主體上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括順次堆疊在彼此頂部的氧化物半導(dǎo)體層和金屬氧化物膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述薄膜晶體管進(jìn)一步包括：

柵極，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜順次堆疊在所述柵極上，并且所述氧化物半導(dǎo)體層與所述柵極絕緣；以及

源極和漏極，彼此隔開并且通過所述金屬氧化物膜中的多個(gè)開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述氧化物半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度和所述金屬氧化物膜的長(zhǎng)度相同，并且所述氧化物半導(dǎo)體層與所述金屬氧化物膜彼此重疊，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜的長(zhǎng)度都沿著所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜的各自的最外面邊緣之間的第一方向測(cè)得。

4.一種顯示器，包括：

基板主體；

位于所述基板主體上的柵極；

位于所述柵極上的柵絕緣層；

位于所述柵極上的氧化物半導(dǎo)體層，所述柵絕緣層位于所述柵極和所述氧化物半導(dǎo)體層之間；

直接位于所述氧化物半導(dǎo)體層上的金屬氧化物膜，包括暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)開口；以及

源極和漏極，彼此隔開并且通過所述金屬氧化物膜中的開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，進(jìn)一步包括位于所述金屬氧化物膜與所述源極和漏極之間的層間絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器，其中所述層間絕緣層具有暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)接觸孔，所述多個(gè)接觸孔與所述金屬氧化物膜中的開口對(duì)準(zhǔn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中：

所述氧化物半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度被限定在所述氧化物半導(dǎo)體層的兩個(gè)第一最外面邊緣之間，以及

所述金屬氧化物膜的長(zhǎng)度被限定在所述金屬氧化物膜的兩個(gè)第二最外面邊緣之間，所述氧化物半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度和所述金屬氧化物膜的長(zhǎng)度相同，并且第一最外面邊緣與相應(yīng)的第二最外面邊緣對(duì)準(zhǔn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中所述金屬氧化物膜的部分以及所述金屬氧化物膜的開口中所述源極和漏極的部分被布置為與所述氧化物半導(dǎo)體層完全重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括氧以及鎵、銦、鋅、鉿和錫中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中所述金屬氧化物膜包括鋁、鉬、鎳、銀、鉻、鈦、鉭及其合金中的至少一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其中所述金屬氧化物膜具有到的厚度。

12.一種制造顯示器的方法，所述方法包括：

在基板主體上形成柵極；

在所述柵極上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上順次堆疊氧化物半導(dǎo)體層和金屬膜；

氧化所述金屬膜以形成金屬氧化物膜，使得所述金屬氧化物膜直接位于所述氧化物半導(dǎo)體層上；

圖案化所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜以具有相同的形狀；

去除所述金屬氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的部分的多個(gè)開口；以及

形成彼此隔開并且通過所述金屬氧化物膜中的開口與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸的源極和漏極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中順次堆疊氧化物半導(dǎo)體層和金屬膜包括在真空環(huán)境下連續(xù)沉積所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中圖案化所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜包括通過刻蝕工藝連續(xù)圖案化所述金屬氧化物膜和所述氧化物半導(dǎo)體層。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中圖案化所述氧化物半導(dǎo)體層和所述金屬氧化物膜包括布置圖案化后的氧化物半導(dǎo)體層和金屬氧化物膜中的每一個(gè)的至少一部分與所述柵極重疊。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在所述金屬氧化物膜與所述源極和漏極之間形成層間絕緣層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括形成通過所述層間絕緣層的多個(gè)接觸孔，所述多個(gè)接觸孔和所述金屬氧化物膜中的多個(gè)開口通過刻蝕工藝連續(xù)形成。